IRF5803D2PBF

제품 속성

속성 값

제조사:

인피니언

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SO-8

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

40 V

Id - 연속 드레인 전류:

3.4 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

190 mOhms

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

25 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

2 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

키:

1.75 mm

길이:

4.9 mm

트랜지스터 유형:

1 P-Channel

유형:

FETKY MOSFET 및 쇼트키 다이오드

너비:

3.9 mm

상표:

인피니언 / IR

가을 시간:

50 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

550 ns

공장 팩 수량:

95

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

88 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

43 ns

부품 번호 별칭:

SP001554058

단위 무게:

0.019048 oz

Tags

IRF5803D2, IRF5803D, IRF5803, IRF580, IRF58, IRF5, IRF