FDI045N10A-F102

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-262-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

100 V

Id - 연속 드레인 전류:

120 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

3.8 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

4 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

54 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

263 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

키:

7.88 mm

길이:

10.29 mm

시리즈:

FDI045N10A

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

너비:

4.83 mm

상표:

온세미컨덕터 / 페어차일드

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

132 S

가을 시간:

15 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

26 ns

공장 팩 수량:

1000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

50 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

23 ns

부품 번호 별칭:

FDI045N10A_F102

단위 무게:

0.073511 oz

Tags

FDI045, FDI04, FDI0, FDI