NE3210S01

제품 속성

속성 값

제조사:

셀

제품 카테고리:

RF JFET 트랜지스터

RoHS:

Y

트랜지스터 유형:

HFET

기술:

GaAs

얻다:

13.5 dB

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

4 V

Vgs - 게이트 소스 항복 전압:

- 3 V

Id - 연속 드레인 전류:

70 mA

최대 작동 온도:

+ 125 C

Pd - 전력 손실:

165 mW

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SO-1

포장:

대부분

동작 주파수:

12 GHz

제품:

RF JFET

유형:

GaAs HFET

상표:

셀

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

55 mS

게이트 소스 차단 전압:

2 V

NF - 노이즈 피겨:

0.35 dB

상품 유형:

RF JFET 트랜지스터

공장 팩 수량:

1

하위 카테고리:

트랜지스터

Tags

NE3210S0, NE3210S, NE3210, NE321, NE32, NE3