TT8M3TR

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TSST-8

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널, P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

20 V

Id - 연속 드레인 전류:

2.5 A, 2.4 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

140 mOhms, 360 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

300 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

3.6 nC, 6.7 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

1.25 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

0.8 mm

길이:

3 mm

제품:

MOSFET

유형:

파워 MOSFET

너비:

1.6 mm

상표:

로옴 반도체

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

2.7 S, 2.4 S

가을 시간:

17 ns, 45 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

17 ns, 25 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

28 ns, 55 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

9 ns, 9 ns

부품 번호 별칭:

TT8M3

Tags

TT8M, TT8