TP2635N3-G

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-92-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

350 V

Id - 연속 드레인 전류:

180 mA

Rds On - 드레인 소스 저항:

15 Ohms

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

1 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

대부분

키:

5.33 mm

길이:

5.21 mm

트랜지스터 유형:

1 P-Channel

유형:

FET

너비:

4.19 mm

상표:

마이크로칩 기술

가을 시간:

40 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

15 ns

공장 팩 수량:

1000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

60 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

10 ns

단위 무게:

0.016000 oz

Tags

TP2635N3-G, TP2635N, TP263, TP26, TP2