APT5010JVRU3

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

이산 반도체 모듈

RoHS:

Y

제품:

전력 MOSFET 모듈

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

장착 스타일:

나사산

패키지/케이스:

SOT-227-4

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

포장:

튜브

구성:

하나의

키:

9.6 mm

길이:

38.2 mm

너비:

25.4 mm

상표:

마이크로칩 / 마이크로세미

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

가을 시간:

5 ns

Id - 연속 드레인 전류:

44 A

Pd - 전력 손실:

450 W

상품 유형:

이산 반도체 모듈

Rds On - 드레인 소스 저항:

100 mOhms

상승 시간:

16 ns

공장 팩 수량:

1

하위 카테고리:

이산 반도체 모듈

상표명:

이소탑

일반적인 끄기 지연 시간:

54 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

18 ns

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

500 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2 V

단위 무게:

1.058219 oz

Tags

APT5010JVR, APT5010JV, APT5010J, APT5010, APT501, APT50, APT5, APT