IXTQ60N10T

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

이산 반도체 모듈

RoHS:

Y

제품:

전력 MOSFET 모듈

유형:

도랑

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-3P

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

포장:

튜브

구성:

하나의

상표:

익시스

트랜지스터 극성:

N-채널

가을 시간:

37 ns

Id - 연속 드레인 전류:

60 A

Pd - 전력 손실:

176 W

상품 유형:

이산 반도체 모듈

Rds On - 드레인 소스 저항:

18 mOhms

상승 시간:

40 ns

공장 팩 수량:

30

하위 카테고리:

이산 반도체 모듈

상표명:

도랑

일반적인 끄기 지연 시간:

43 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

27 ns

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

100 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2.5 V

Tags

IXTQ60, IXTQ6, IXTQ, IXT