SI4814BDY-T1-E3

SI4814BDY-T1-E3
Mfr. #:
SI4814BDY-T1-E3
제조사:
Vishay
설명:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 10/10.5A 3.5W
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
SI4814BDY-T1-E3 데이터 시트
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DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사
비쉐이 실리콘
제품 카테고리
FET - 어레이
시리즈
리틀 풋
포장
테이프 및 릴(TR)
부분 별칭
SI4814BDY-E3
단위 무게
0.006596 oz
장착 스타일
SMD/SMT
패키지 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기술
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착형
표면 실장
채널 수
2 Channel
공급자-장치-패키지
8-SO
구성
쇼트키 다이오드가 있는 듀얼
FET형
2 N-Channel (Half Bridge)
파워맥스
3.3W, 3.5W
트랜지스터형
2 N-Channel
드레인-소스 전압 Vdss
30V
입력-커패시턴스-Ciss-Vds
-
FET 기능
로직 레벨 게이트
Current-Continuous-Drain-Id-25°C
10A, 10.5A
Rds-On-Max-Id-Vgs
18 mOhm @ 10A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 250μA
Gate-Charge-Qg-Vgs
10nC @ 4.5V
Pd 전력 손실
1.9 W 2 W
최대 작동 온도
+ 150 C
최소 작동 온도
- 55 C
가을철
11 ns 13 ns
상승 시간
11 ns 13 ns
Vgs 게이트 소스 전압
20 V
Id-연속-드레인-전류
7.5 A
Vds-드레인-소스-고장-전압
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
18 mOhms
트랜지스터 극성
N-채널
일반 꺼짐 지연 시간
21 ns 27 ns
일반 켜기 지연 시간
8 ns 9 ns
채널 모드
상승
Tags
SI4814BDY-T, SI4814BDY, SI4814B, SI4814, SI481, SI48, SI4
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***ied Electronics & Automation
MOSFET, Power, Dual N-Channel, 0.0145 Ohms (Channel1), 0.015 Ohms (Channel2)
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A/7.8A 8-Pin SOIC N T/R
***ark
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel / Schottky Diode; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:10.5A; On Resistance, Rds(on):18mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V ;RoHS Compliant: Yes
부분 # 제조 설명 재고 가격
SI4814BDY-T1-E3
DISTI # SI4814BDY-T1-E3-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI4814BDY-T1-E3
    DISTI # 70026019
    Vishay SiliconixMOSFET,Power,Dual N-Channel,0.0145 Ohms (Channel1),0.015 Ohms (Channel2)
    RoHS: Compliant
    0
    • 2500:$1.0100
    SI4814BDY-T1-E3
    DISTI # 781-SI4814BDY-E3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 10/10.5A 3.5W
    RoHS: Compliant
    0
      영상 부분 # 설명
      SI4814BDY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4814BDY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4814BDY-T1-GE3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
      SI4814BDY-T1-E3

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      OMO.#: OMO-SI4814BDY-T1-E3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
      SI4814BDY-T1-GE3

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      OMO.#: OMO-SI4814BDY-T1-GE3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 10/10.5A 18mohm @ 10V
      SI4814BDY-T1-E3

      Mfr.#: SI4814BDY-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4814BDY-T1-E3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 10/10.5A 3.5W
      SI4814BD-T1-E3

      Mfr.#: SI4814BD-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4814BD-T1-E3-1190

      신규 및 오리지널
      SI4814BDY

      Mfr.#: SI4814BDY

      OMO.#: OMO-SI4814BDY-1190

      신규 및 오리지널
      SI4814BDY-T1-E

      Mfr.#: SI4814BDY-T1-E

      OMO.#: OMO-SI4814BDY-T1-E-1190

      신규 및 오리지널
      유효성
      재고:
      Available
      주문 시:
      4000
      수량 입력:
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      참고 가격(USD)
      수량
      단가
      내선 가격
      1
      US$1.52
      US$1.52
      10
      US$1.44
      US$14.39
      100
      US$1.36
      US$136.35
      500
      US$1.29
      US$643.90
      1000
      US$1.21
      US$1 212.00
      2021년부터 반도체 공급 부족으로 인해 아래 가격은 2021년 이전 정상 가격입니다. 확인을 위해 문의를 보내주세요.
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