RQ3E120BNTB

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

HSMT-8

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

12 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

6.6 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2.5 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

29 nC

Pd - 전력 손실:

2 W

구성:

하나의

포장:

릴

트랜지스터 유형:

1 N-channel

상표:

로옴 반도체

가을 시간:

12 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

30 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

46 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

9 ns

부품 번호 별칭:

RQ3E120BN

단위 무게:

0.196723 oz

Tags

RQ3E12, RQ3E1, RQ3E, RQ3