PTFA260451E V1

Mfr. #:: PTFA260451E V1
제조사:: Infineon Technologies
설명:: RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS GOLDMOS 8
수명 주기:: 이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:: PTFA260451E V1 데이터 시트
배달:: DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

제품 속성
속성 값

제조사:: 인피니언

제품 카테고리:: RF MOSFET 트랜지스터

RoHS:: Y

트랜지스터 극성:: N-채널

기술:: 시

Vds - 드레인 소스 항복 전압:: 65 V

Rds On - 드레인 소스 저항:: 160 mOhms

최소 작동 온도:: - 40 C

최대 작동 온도:: + 200 C

장착 스타일:: SMD/SMT

포장:: 쟁반

구성:: 하나의

유형:: RF 전력 MOSFET

상표:: 인피니언 테크놀로지스

채널 모드:: 상승

Pd - 전력 손실:: 199 W

상품 유형:: RF MOSFET 트랜지스터

공장 팩 수량:: 1

하위 카테고리:: MOSFET

Vgs - 게이트 소스 전압:: - 0.5 V to 12 V

부품 번호 별칭:: FA260451EV1XP

Tags: PTFA2604, PTFA260, PTFA26, PTFA2, PTFA, PTF

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PTFA260451E V1 설명

***i-Key: IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2

Market price

부분 #	제조	설명	재고
PTFA260451E V1 DISTI # PTFA260451EV1-ND	Infineon Technologies AG	IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 RoHS: Compliant Min Qty: 50 Container: Tray	Limited Supply - Call
PTFA260451E V1 DISTI # 726-PTFA260451EV1	Infineon Technologies AG	RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS GOLDMOS 8 RoHS: Compliant	0
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영상	부분 #	설명
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	Mfr.#: PTFA260451E OMO.#: OMO-PTFA260451E-1190	신규 및 오리지널
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