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| 부분 # | 제조 | 설명 | 재고 | 가격 |
|---|---|---|---|---|
| MTD5N10 | ISC | DPAK/TO-252 | 5000 |
| 영상 | 부분 # | 설명 |
|---|---|---|
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Mfr.#: MTD5010N |
SENSOR PHOTODIODE 850NM TO18 |
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Mfr.#: MTD502 OMO.#: OMO-MTD502-1190 |
신규 및 오리지널 |
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Mfr.#: MTD502EF OMO.#: OMO-MTD502EF-1190 |
신규 및 오리지널 |
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Mfr.#: MTD50N08Q8-0-T3-G OMO.#: OMO-MTD50N08Q8-0-T3-G-1190 |
신규 및 오리지널 |
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Mfr.#: MTD55N10Q8 OMO.#: OMO-MTD55N10Q8-1190 |
신규 및 오리지널 |
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Mfr.#: MTD5906VT4G OMO.#: OMO-MTD5906VT4G-1190 |
신규 및 오리지널 |
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Mfr.#: MTD5N05RL OMO.#: OMO-MTD5N05RL-1190 |
신규 및 오리지널 |
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Mfr.#: MTD5N06 OMO.#: OMO-MTD5N06-1190 |
신규 및 오리지널 |
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Mfr.#: MTD5N08LT4G OMO.#: OMO-MTD5N08LT4G-1190 |
신규 및 오리지널 |
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Mfr.#: MTD5N25ET4 OMO.#: OMO-MTD5N25ET4-1190 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |