 |  | | |
| PartNumber | 2SA1163-BL(TE85L,F | 2SA1162YT1 | 2SA1162GT1 |
| Description | Bipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.1A LN -120V VCEO | Bipolar Transistors - BJT 150mA 50V PNP | Bipolar Transistors - BJT 150mA 50V PNP |
| Manufacturer | Toshiba | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
| Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Bipolar Transistors - BJT | Bipolar Transistors - BJT |
| RoHS | Y | N | N |
| Mounting Style | SMD/SMT | SMD/SMT | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-346-3 | SC-59-3 | SC-59-3 |
| Transistor Polarity | PNP | PNP | PNP |
| Configuration | Single | Single | Single |
| Collector Emitter Voltage VCEO Max | - 120 V | 50 V | 50 V |
| Collector Base Voltage VCBO | - 120 V | 50 V | 50 V |
| Emitter Base Voltage VEBO | - 5 V | 7 V | 7 V |
| Collector Emitter Saturation Voltage | - 0.3 V | 0.3 V | 0.3 V |
| Maximum DC Collector Current | - 100 mA | 0.15 A | 0.15 A |
| Gain Bandwidth Product fT | 100 MHz | 80 MHz | 80 MHz |
| Series | 2SA1163 | - | - |
| DC Current Gain hFE Max | 700 | - | - |
| Packaging | Reel | Reel | Reel |
| Brand | Toshiba | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
| Continuous Collector Current | - 100 mA | 0.15 A | 0.15 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 200 | 120 | 200 |
| Pd Power Dissipation | 150 mW | 200 mW | 200 mW |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | BJTs - Bipolar Transistors | BJTs - Bipolar Transistors |
| Factory Pack Quantity | 3000 | 3000 | 3000 |
| Subcategory | Transistors | Transistors | Transistors |
| Maximum Operating Temperature | - | + 150 C | + 150 C |
| Height | - | 1.09 mm | 1.09 mm |
| Length | - | 2.9 mm | 2.9 mm |
| Width | - | 1.5 mm | 1.5 mm |
| Unit Weight | - | 0.000282 oz | 0.000282 oz |
| 제조사 | 부분 # | 설명 | RFQ |
|---|---|---|---|
Toshiba |
2SA1163-BL(TE85L,F | Bipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.1A LN -120V VCEO | |
| 2SA1163-BL(TE85L,F | Bipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.1A LN -120V VCEO | ||
ON Semiconductor |
2SA1162YT1 | Bipolar Transistors - BJT 150mA 50V PNP | |
| 2SA1162GT1 | Bipolar Transistors - BJT 150mA 50V PNP | ||
| 2SA1162GT1 | TRANS PNP 50V 0.15A SC-59 | ||
| 2SA1162YT1 | TRANS PNP 50V 0.15A SC-59 | ||
| 2SA1162GR | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162GR 200-400 | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162GR SG 200-400 | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162GR(SG) | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162GR(T5L.F.T) | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162GR(T5LT,ST) | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162GR(TE85L) | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162GR(TE85R F) | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162GR(TLSPF,T) | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162GR/SG | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162GRSG | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162GRT | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162GRT5LT | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162GRTE85L | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 | ||
| 2SA1162GRTE85LF | 2SA1162GRTE85LF | ||
| 2SA1162S-GR | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162S-GR,LF , QS5K2 T | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162S-GR,LF(D) | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162S-GRLF | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162S-Y,LF(D | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162S-Y.LF | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162Y(SY) | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1163-BL | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162-YLFCT-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162-YLFDKR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162-YLFTR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162S-GRLF(D-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162S-YLF(DCT-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162S-YLFCT-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162S-YLFDKR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162S-YLFTR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162Y(TE85L,F) | GP BJT | ||
| 2SA1162YTE85L | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 | ||
| 2SA1162GRSGTE85L | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162YT5LM | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1163-BL(TE85L,F) | Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R | ||
| 2SA1162S-GR,LF(D | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162S-Y,LF | Bipolar Transistors - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA | ||
| 2SA1162S-YLF(DDKR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162S-YLF(DTR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SA1162S-Y, LF(D | TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI | ||
| 2SA1162Y | Bipolar Junction Transistor, PNP Type, SOT-23 | ||
| 2SA1162S-GR,LF | Bipolar Transistors - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA | ||
| 2SA1162S-Y | 신규 및 오리지널 |