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| PartNumber | 2SK3557-7-TB-E | 2SK3557-6-TB-E |
| Description | JFET LOW-FREQUENCY AMPLIFIER | RF JFET Transistors LOW-FREQUENCY AMPLIFIER |
| Manufacturer | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
| Product Category | JFET | RF JFET Transistors |
| RoHS | Y | Y |
| Mounting Style | SMD/SMT | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-59 | SOT-23-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | 15 V | 15 V |
| Vgs Gate Source Breakdown Voltage | - 15 V | - 15 V |
| Drain Source Current at Vgs=0 | 50 mA | - |
| Id Continuous Drain Current | 50 mA | 50 mA |
| Pd Power Dissipation | 200 mW | 200 mW |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | + 150 C |
| Series | 2SK3557 | 2SK3557 |
| Packaging | Reel | Reel |
| Type | JFET | JFET |
| Brand | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
| Forward Transconductance Min | 24 ms | 35 mS |
| Gate Source Cutoff Voltage | - 1 nA | - 0.7 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 | 3000 |
| Unit Weight | 0.000282 oz | 0.000282 oz |
| Transistor Type | - | JFET |
| Technology | - | Si |
| Maximum Drain Gate Voltage | - | - 15 V |
| Configuration | - | Single |
| Product | - | RF JFET |
| Product Type | - | RF JFET Transistors |
| Subcategory | - | Transistors |
| 제조사 | 부분 # | 설명 | RFQ |
|---|---|---|---|
ON Semiconductor |
2SK3557-7-TB-E | JFET LOW-FREQUENCY AMPLIFIER | |
| 2SK3557-6-TB-E | RF JFET Transistors LOW-FREQUENCY AMPLIFIER | ||
| 2SK3557-7-TB-E | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3557-6-TB-E | RF JFET Transistors LOW-FREQUENCY AMPLIFIER | ||
| 2SK3561Q | Transisto | ||
| 2SK3561(Q) | Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS | ||
| 2SK3563(Q) | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | ||
| 2SK3564,S5Q(J | MOSFET 900V/3A TO220, PK | ||
| 2SK3564(Q) | Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | ||
| 2SK3557 | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3557-6-TB-E , MAX6346 | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3557-6-TB-E,LM3Z6V2T1 | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3557-7-TB-E , MAX6405 | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK356 | MOSFET N-CH 900V 3A 4V DRIVE TO-220SIS, PK | ||
| 2SK3560 | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3561,2SK3742,K3561,K3 | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3561,K3561 | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3561,K3561, | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3562 K3562 | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3562 TK6A60D | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3562(Q) | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3562(Q,M) | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3562(S4TETV.X.M | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3562(S4TETVXMTO-220F | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3562(STA4.Q.M) | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3562,2SK3564,K3562,K3 | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3562,S5X(M | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3562FP | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3562Q | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3563 | MOSFET N-Ch 500V 5A Rdson 1.5 Ohm | ||
| 2SK3563,2SK3561,2SK3562 | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3563,2SK3565,K3565,K3 | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3563,2SK3565,K3565,K3563, | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3563,K3563 | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3563,K3563, | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3564 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||
| 2SK3564,2SK3563,K3564,K3 | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3564,2SK3563,K3564,K3563 | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3564,K3564 | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3564,K3564,2SK3567, | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3565(Q) | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3562QM | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3564(STA4QM)-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3565(Q,M) | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 900V, 5A, 45W, TO220FP | ||
| 2SK3562(STA4.Q) | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3564(STA4,Q,M) | 신규 및 오리지널 | ||
| 2SK3557-6-TB-EX | - Bulk (Alt: 2SK3557-6-TB-EX) | ||
| 2SK3561 | MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm | ||
| 2SK3562 | MOSFET N-Ch 600V 6A Rdson 1.25 Ohm | ||
| 2SK3565 | MOSFET N-Ch 900V 5A Rdson 2.5 Ohm |