PartNumber | BSS806NEH6327XTSA1 | BSS806NE H6327 | BSS806N H6327 |
Description | MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 | MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 | MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 |
Manufacturer | Infineon | Infineon | Infineon |
Product Category | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
RoHS | Y | Y | Y |
Technology | Si | Si | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | SMD/SMT | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 |
Number of Channels | 1 Channel | 1 Channel | 1 Channel |
Transistor Polarity | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Vds Drain Source Breakdown Voltage | 20 V | 20 V | 20 V |
Id Continuous Drain Current | 2.3 A | 2.3 A | 2.3 A |
Rds On Drain Source Resistance | 41 mOhms | 41 mOhms | 41 mOhms |
Vgs th Gate Source Threshold Voltage | 300 mV | 300 mV | 550 mV |
Vgs Gate Source Voltage | 8 V | 8 V | 20 V |
Qg Gate Charge | 1.7 nC | 1.7 nC | 1.7 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | - 55 C | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | + 150 C | + 150 C |
Pd Power Dissipation | 500 mW (1/2 W) | 500 mW (1/2 W) | 500 mW (1/2 W) |
Configuration | Single | Single | Single |
Channel Mode | Enhancement | Enhancement | Enhancement |
Packaging | Reel | Reel | Reel |
Height | 1.1 mm | 1.1 mm | 1.1 mm |
Length | 2.9 mm | 2.9 mm | 2.9 mm |
Series | BSS806 | BSS806 | BSS806 |
Transistor Type | 1 N-Channel | 1 N-Channel | 1 N-Channel |
Width | 1.3 mm | 1.3 mm | 1.3 mm |
Brand | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Forward Transconductance Min | 9 S | 9 S | 9 S |
Fall Time | 3.7 ns | 3.7 ns | 3.7 ns |
Product Type | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
Rise Time | 9.9 ns | 9.9 ns | 9.9 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | 3000 | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | MOSFETs | MOSFETs |
Typical Turn Off Delay Time | 12 ns | 12 ns | 12 ns |
Typical Turn On Delay Time | 7.5 ns | 7.5 ns | 7.5 ns |
Part # Aliases | BSS806NE H6327 SP000999336 | BSS806NEH6327XTSA1 SP000999336 | BSS806NH6327XTSA1 BSS86NH6327XT SP000928952 |
Unit Weight | 0.000282 oz | 0.000282 oz | 0.000282 oz |
Qualification | - | - | AEC-Q101 |
제조사 | 부분 # | 설명 | RFQ |
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Infineon Technologies |
BSS806NEH6327XTSA1 | MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 | |
BSS806NH6327XTSA1 | MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 | ||
BSS806NE H6327 | MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 | ||
BSS816NW H6327 | MOSFET N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3 | ||
BSS816NWH6327XTSA1 | MOSFET N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3 | ||
BSS806N H6327 | MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 | ||
BSS806NEH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 | ||
BSS806NH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 | ||
BSS816NWH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 | ||
BSS806NL6327HTSA1 | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 | ||
BSS816NW L6327 | MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 | ||
Infineon Technologies |
BSS816NW L6327 | MOSFET N-Ch 20V | |
BSS8-A-T | 신규 및 오리지널 | ||
BSS802 | 신규 및 오리지널 | ||
BSS802N | 신규 및 오리지널 | ||
BSS804DW-7-F | 신규 및 오리지널 | ||
BSS806N | 신규 및 오리지널 | ||
BSS806N H6327 | Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 (Alt: BSS806N H6327) | ||
BSS806N L6327 | Trans MOSFET N-Ch 20V (Alt: SP000464848) | ||
BSS806NE | 신규 및 오리지널 | ||
BSS806NE H6327 | MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 | ||
BSS806NEH6327 | 신규 및 오리지널 | ||
BSS806NH6327 | 20V,57m��,2.3A,N-Ch Small-Signal MOSFET | ||
BSS806NL6327 | 신규 및 오리지널 | ||
BSS806NL6327S | 신규 및 오리지널 | ||
BSS80B | 신규 및 오리지널 | ||
BSS80B-E6300 | 신규 및 오리지널 | ||
BSS80BTA | 신규 및 오리지널 | ||
BSS80C | - Bulk (Alt: BSS80C) | ||
BSS80C E-6327 | 신규 및 오리지널 | ||
BSS80C E6327 | 신규 및 오리지널 | ||
BSS80CE-6327 | 800 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | ||
BSS80CE6327 | 신규 및 오리지널 | ||
BSS80CTA | Bipolar Transistors - BJT | ||
BSS80CTC | 신규 및 오리지널 | ||
BSS81 | 신규 및 오리지널 | ||
BSS813 | 신규 및 오리지널 | ||
BSS816 | 신규 및 오리지널 | ||
BSS816NW | 신규 및 오리지널 | ||
BSS816NW H6327 | Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R (Alt: BSS816NW H6327) | ||
BSS816NWH6327 | MOSFET N-CHAN OPTIMOS-2 20V 1.4A SOT323, RL | ||
BSS816NWL6327XT | 20V,1.4A,N-channel power MOSFET | ||
BSS81B | 신규 및 오리지널 | ||
BSS81B (INFINEON) | 신규 및 오리지널 | ||
BSS81B E6327 | 신규 및 오리지널 | ||
BSS81C | 신규 및 오리지널 | ||
BSS81C (INFINEON) | 신규 및 오리지널 | ||
BSS82 | 신규 및 오리지널 | ||
BSS82BL | 신규 및 오리지널 | ||
BSS8 | SmallSignalBipolarTransistor,0.5AI(C),80VV(BR)CEO,1-Element,PNP,Silicon,TO-236 |