FQB2

FQB22P10TM vs FQB20N06LTM vs FQB20N06TM

 
PartNumberFQB22P10TMFQB20N06LTMFQB20N06TM
DescriptionMOSFET 100V P-Channel QFETMOSFET 60V N-Channel QFET Logic LevelMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
ManufacturerON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Product CategoryMOSFETMOSFETMOSFET
RoHSYEY
TechnologySiSiSi
Mounting StyleSMD/SMTSMD/SMTSMD/SMT
Package / CaseTO-263-3TO-263-3TO-263-3
Number of Channels1 Channel1 Channel1 Channel
Transistor PolarityP-ChannelN-ChannelN-Channel
Vds Drain Source Breakdown Voltage100 V60 V60 V
Id Continuous Drain Current22 A21 A20 A
Rds On Drain Source Resistance125 mOhms55 mOhms60 mOhms
Vgs Gate Source Voltage30 V20 V25 V
Minimum Operating Temperature- 55 C- 55 C- 55 C
Maximum Operating Temperature+ 175 C+ 175 C+ 175 C
Pd Power Dissipation3.75 W3.75 W3.75 W
ConfigurationSingleSingleSingle
Channel ModeEnhancementEnhancementEnhancement
PackagingReelReelReel
Height4.83 mm4.83 mm4.83 mm
Length10.67 mm10.67 mm10.67 mm
SeriesFQB22P10--
Transistor Type1 P-Channel1 N-Channel1 N-Channel
TypeMOSFETMOSFETMOSFET
Width9.65 mm9.65 mm9.65 mm
BrandON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild
Forward Transconductance Min13.5 S11 S-
Fall Time110 ns70 ns25 ns
Product TypeMOSFETMOSFETMOSFET
Rise Time170 ns165 ns45 ns
Factory Pack Quantity800800800
SubcategoryMOSFETsMOSFETsMOSFETs
Typical Turn Off Delay Time60 ns35 ns20 ns
Typical Turn On Delay Time17 ns10 ns5 ns
Part # AliasesFQB22P10TM_NL--
Unit Weight0.046296 oz0.011640 oz0.011640 oz
제조사 부분 # 설명 RFQ
ON Semiconductor / Fairchild
ON Semiconductor / Fairchild
FQB22P10TM MOSFET 100V P-Channel QFET
FQB27P06TM MOSFET 60V P-Channel QFET
FQB27N25TM-F085 MOSFET 250V, 0.11OHM, 25.5A, N-CH MOSFET
FQB25N33TM-F085 MOSFET 330V NCH MOSFET
FQB22P10TM-F085 MOSFET P-Chan, -100V, -22A 0.125HM@VGS=-10V
FQB20N06LTM MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
FQB20N06TM MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
FQB20N06 신규 및 오리지널
FQB20N06L 신규 및 오리지널
FQB20N06LTM-NL 신규 및 오리지널
FQB20N06TM-NL 신규 및 오리지널
FQB20N60 신규 및 오리지널
FQB20N60FTM 신규 및 오리지널
FQB20N60LTM 신규 및 오리지널
FQB22910 신규 및 오리지널
FQB22P10 신규 및 오리지널
FQB22P10TM-BL 신규 및 오리지널
FQB22P10TM-NL 신규 및 오리지널
FQB22P10TM_F085 -100V /-22A/0.125HM@VGS=-10V
FQB24N08 신규 및 오리지널
FQB24N08TM-NL 신규 및 오리지널
FQB2532 신규 및 오리지널
FQB25N33 신규 및 오리지널
FQB25N33TM-NB82122 신규 및 오리지널
FQB27N25 신규 및 오리지널
FQB27N25TM Power Field-Effect Transistor, 25.5A I(D), 250V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
FQB27N25TM-AM002 신규 및 오리지널
FQB27N25TM-NL 신규 및 오리지널
FQB27N25TM_F085 250V, 0.11OHM, 25.5A, N-CH MOS
FQB27N25TU 신규 및 오리지널
FQB27P06 신규 및 오리지널
FQB27P06C 신규 및 오리지널
FQB27P06TM-NL 신규 및 오리지널
FQB27P06TM2400 신규 및 오리지널
FQB27PPP06TM 신규 및 오리지널
FQB28N04 신규 및 오리지널
FQB28N15 신규 및 오리지널
FQB25N33TM_F085 IGBT Transistors MOSFET 330V NCH MOSFET
FQB22P10TM-CUT TAPE 신규 및 오리지널
FQB27P06TM-CUT TAPE 신규 및 오리지널
ON Semiconductor
ON Semiconductor
FQB20N06LTM MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK
FQB20N06TM MOSFET N-CH 60V 20A D2PAK
FQB22P10TM MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
FQB22P10TM-F085 MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
FQB24N08TM MOSFET N-CH 80V 24A D2PAK
FQB25N33TM MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
FQB25N33TM-F085 MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
FQB27N25TM_AM002 MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
FQB27P06TM MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
FQB27N25TM-F085 MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
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