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| PartNumber | GT30J121(Q) | GT30J101 | GT30J121 |
| Description | IGBT Transistors 600V/30A DIS | 30A, 600V, N-CHANNEL IGBT | |
| Manufacturer | Toshiba | TOSHIBA | TOSHIBA |
| Product Category | IGBT Transistors | IC Chips | IGBTs - Single |
| RoHS | Y | - | - |
| Technology | Si | - | - |
| Package / Case | TO-3P | - | - |
| Mounting Style | Through Hole | - | - |
| Configuration | Single | - | - |
| Collector Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | - | - |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V | - | - |
| Continuous Collector Current at 25 C | 30 A | - | - |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - | - |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | - | - |
| Series | GT30J121 | - | - |
| Continuous Collector Current Ic Max | 30 A | - | - |
| Height | 19 mm | - | - |
| Length | 15.9 mm | - | - |
| Width | 4.8 mm | - | - |
| Brand | Toshiba | - | - |
| Product Type | IGBT Transistors | - | - |
| Factory Pack Quantity | 50 | - | - |
| Subcategory | IGBTs | - | - |
| Unit Weight | 0.238311 oz | - | - |
| 제조사 | 부분 # | 설명 | RFQ |
|---|---|---|---|
Toshiba |
GT30J121(Q) | IGBT Transistors 600V/30A DIS | |
| GT30J101 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT30J121 | 30A, 600V, N-CHANNEL IGBT | ||
| GT30J121,GT30J322 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT30J122 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT30J122 GT30J122A | 신규 및 오리지널 | ||
| GT30J122(GREE,Q) | 신규 및 오리지널 | ||
| GT30J122(GREE,Q)TOSHIBA- | 신규 및 오리지널 | ||
| GT30J122(Q) | 신규 및 오리지널 | ||
| GT30J122,GT30J122A, | 신규 및 오리지널 | ||
| GT30J122A | 신규 및 오리지널 | ||
| GT30J122A . 30J122A | 신규 및 오리지널 | ||
| GT30J122A(STA1,E,D | 신규 및 오리지널 | ||
| GT30J122A(STA1,E,D) | 신규 및 오리지널 | ||
| GT30J122A(STA1ED | 신규 및 오리지널 | ||
| GT30J122A,30J122A,GT30J1 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT30J122A,GT40Q321,30J12 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT30J122AQ(O) | 신규 및 오리지널 | ||
| GT30J124 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT30J126 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT30J126(Q) | 신규 및 오리지널 | ||
| GT30J127 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT30J127 30J127 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT30J121(Q) | IGBT Transistors 600V/30A DIS |