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| PartNumber | GT50J101 | GT50J102 | GT50J102(Q) |
| Description | INSTOCK | IGBT, 600V, TO-3P(LH) | |
| Manufacturer | TOSHIBA | - | - |
| Product Category | IC Chips | - | - |
| 제조사 | 부분 # | 설명 | RFQ |
|---|---|---|---|
Toshiba |
GT50JR22(STA1,E,S) | IGBT Transistors IGBT for Soft Switching Apps | |
| GT50J101 | INSTOCK | ||
| GT50J102 | IGBT, 600V, TO-3P(LH) | ||
| GT50J102(Q) | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J102Q | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J121 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J121(Q) | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J122 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J301 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J301(Q) | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J301Q | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J321 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J322 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J322(Q) | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J322,GT30J122, | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J322,GT30J122A | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J322B | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J322H | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J323 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J324 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J325 | IGBT, 600V, TO-3P(LH), DC Collector Current:50A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.45V, Power Dissipation Pd:240W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V, No. of Pins:3Pins, Operat | ||
| GT50J325(Q) | Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(LH) | ||
| GT50J327 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J328 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J341 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J342 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J342,Q(O | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J342Q(0 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50JR21 | IGBT N-CH 600V 50A ENHANCEMENT TO3PN, TU | ||
| GT50JR21(STA1,E,S) | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50JR21(STA1ES) | IGBTs (Alt: GT50JR21(STA1,E,S)) | ||
| GT50JR21STA1 | IGBT Transistors LOW SATURATION/FAST SWITCHING | ||
| GT50JR22 | IGBT N-CH 600V 50A ENHANCEMENT TO3PN, EA | ||
| GT50JR22(S1WD E S | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50JR22(S1WDES | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50JR22(S1WLD E S | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50JR22(S1WLD,E,STOSHIB | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50JR22(S1WLDES | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50JR22(STA1,E,S) | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50JR22(STA1ES) | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50JR22,50JR22 | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J121(Q)-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| GT50J341,Q(O) | IGBT Chip |