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| PartNumber | HN1A01F-GR(TE85L,F | HN1A01FE-GR,LF | HN1A01F-Y(TE85L,F) |
| Description | Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A | Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor | Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A |
| Manufacturer | Toshiba | Toshiba | Toshiba |
| Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Bipolar Transistors - BJT | Bipolar Transistors - BJT |
| RoHS | Y | Y | Y |
| Mounting Style | SMD/SMT | SMD/SMT | SMD/SMT |
| Package / Case | SM-6 | ES6-6 | SOT-26-6 |
| Transistor Polarity | PNP | PNP | PNP |
| Configuration | Dual | - | Dual |
| Collector Emitter Voltage VCEO Max | 50 V | - 50 V | 50 V |
| Collector Base Voltage VCBO | 50 V | - 50 V | 50 V |
| Emitter Base Voltage VEBO | 5 V | - 5 V | 5 V |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 0.1 V | - 0.3 V | 0.1 V |
| Maximum DC Collector Current | 150 mA | - 150 mA | 150 mA |
| Gain Bandwidth Product fT | 80 MHz | 80 MHz | 80 MHz |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 125 C | - | + 125 C |
| Series | HN1A01 | HN1A01 | HN1A01 |
| DC Current Gain hFE Max | 400 | 400 | 400 |
| Packaging | Reel | Reel | Reel |
| Brand | Toshiba | Toshiba | Toshiba |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 120 | 120 | 120 |
| Pd Power Dissipation | 300 mW | 100 mW | 300 mW |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | BJTs - Bipolar Transistors | BJTs - Bipolar Transistors |
| Factory Pack Quantity | 3000 | 4000 | 3000 |
| Subcategory | Transistors | Transistors | Transistors |
| Continuous Collector Current | - | - 150 mA | - |
| 제조사 | 부분 # | 설명 | RFQ |
|---|---|---|---|
Toshiba |
HN1A01F-GR(TE85L,F | Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A | |
| HN1A01FE-Y,LF | Bipolar Transistors - BJT ES6 PLN | ||
| HN1A01FE-GR,LF | Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor | ||
| HN1A01F-Y(TE85L,F) | Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A | ||
| HN1A01FE-Y,LF | Bipolar Transistors - BJT ES6 PLN | ||
| HN1A01FE-GR,LF | Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transisto | ||
| HN1A01F-GR(TE85L,F | Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A | ||
| HN1A01F-Y(TE85L,F) | Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A | ||
| HN1A01FE-YTE85LF | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-GR(TE85LFCT-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-GR(TE85LFDKR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-Y(TE85LF)CT-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-Y(TE85LF)DKR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-Y(TE85LF)TR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01FE-GRLFTR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01FE-YLFCT-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01FE-YLFDKR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01FE-YLFTR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01FE-YLF | Bipolar Transistors - BJT ES6 PLN ACTIVE | ||
| HN1A01F-GR TE85L F | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F DIY | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-G | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-GR | 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | ||
| HN1A01F-GR(D1G) | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-GR(TE85L | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-GR(TE85L) | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-GR(TE85L,F) | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-GR(TE85LF | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-GR(TE85LF) | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-GR-TE85R | 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | ||
| HN1A01F-GR/D1G | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-TE | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-V | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-Y | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-Y TE85L | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-Y(D1Y) | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-Y(SMD) | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-Y(TE85L) | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-Y(TE85L.F) | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01F-Y(TE85LF) | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01FA | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01FE | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01FE-GR | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01FE-GRLF | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin SC-107C Emboss T/R - Tape and Reel (Alt: HN1A01FE-GR,LF) | ||
| HN1A01FE-Y | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01FE-Y(TE85LF | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01FU | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01FU(TE85R | 신규 및 오리지널 | ||
| HN1A01FU-G/D1G | 신규 및 오리지널 |