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| PartNumber | PMV65UNEAR | PMV65UNER | PMV65ENEAR |
| Description | MOSFET PMV65UNEA/SOT23/TO-236AB | MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB | MOSFET N-CH 20V TO-236AB |
| Manufacturer | Nexperia | - | - |
| Product Category | MOSFET | - | - |
| RoHS | Y | - | - |
| Technology | Si | - | - |
| Mounting Style | SMD/SMT | - | - |
| Package / Case | SOT-23-3 | - | - |
| Number of Channels | 1 Channel | - | - |
| Transistor Polarity | N-Channel | - | - |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | 20 V | - | - |
| Id Continuous Drain Current | 2.8 A | - | - |
| Rds On Drain Source Resistance | 73 mOhms | - | - |
| Vgs th Gate Source Threshold Voltage | 450 mV | - | - |
| Vgs Gate Source Voltage | 8 V | - | - |
| Qg Gate Charge | 6 nC | - | - |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - | - |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | - | - |
| Pd Power Dissipation | 940 mW | - | - |
| Configuration | Single | - | - |
| Channel Mode | Enhancement | - | - |
| Qualification | AEC-Q101 | - | - |
| Transistor Type | 1 N-Channel | - | - |
| Brand | Nexperia | - | - |
| Forward Transconductance Min | 11 S | - | - |
| Fall Time | 12 ns | - | - |
| Product Type | MOSFET | - | - |
| Rise Time | 23 ns | - | - |
| Factory Pack Quantity | 3000 | - | - |
| Subcategory | MOSFETs | - | - |
| Typical Turn Off Delay Time | 35 ns | - | - |
| Typical Turn On Delay Time | 8 ns | - | - |
| 제조사 | 부분 # | 설명 | RFQ |
|---|---|---|---|
Nexperia |
PMV65UNEAR | MOSFET PMV65UNEA/SOT23/TO-236AB | |
| PMV65XPVL | MOSFET PMV65XP/TO-236AB/REEL 11" Q3/T | ||
| PMV65XP,215 | MOSFET P-CH TRENCH 20V | ||
| PMV65XPEAR | MOSFET 20V P-channel Trench MOSFET | ||
| PMV65XPER | MOSFET 20V P-channel Trench MOSFET | ||
| PMV65UNEAR | MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB | ||
| PMV65UNER | MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB | ||
| PMV65XP,215 | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65XP/MIR | MOSFET P-CH 20V SOT23 | ||
| PMV65XPEAR | MOSFET P-CH 20V SOT23 | ||
| PMV65XPER | MOSFET P-CH 20V SOT23 | ||
| PMV65XPVL | MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB | ||
| PMV65ENEAR | MOSFET N-CH 20V TO-236AB | ||
| PMV65UN | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65UN125 | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65UN215 | Now Nexperia PMV65UN - Small Signal Field-Effect Transistor, TO-236AB | ||
| PMV65UNE | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65UNEA | MOSFET 20V, N-channel Trench Automotive MOSFET | ||
| PMV65XP 11+ | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65XP 11+ 3000/ | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65XP , MAX6361LUT46 | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65XP A19T | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65XP | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65XP+215 | Now Nexperia PMV65XP - Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | ||
| PMV65XP-T | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65XP.215(WM9) | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65XP/MI | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65XP/MI , HSMS-2822-T | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65XP/MI215 | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65XP/TR | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65XP1215 | PHAPMV65XP1,215 20 V, SINGLE P-CHANNEL T - Bulk (Alt: PMV65XP1215) | ||
| PMV65XP215 | Now Nexperia PMV65XP - Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | ||
| PMV65XPE | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65XPE215 | - Bulk (Alt: PMV65XPE215) | ||
| PMV65XPEA | MOSFET Transistor, P Channel, -2.8 A, -20 V, 0.067 ohm, -4.5 V, -1 V , RoHS Compliant: Yes | ||
| PMV65XPEA,215 | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65XP. | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65XP1 | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65UNE,215 | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65XP,215-CUT TAPE | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65XPMI | 신규 및 오리지널 | ||
| PMV65XP215 ROHS. | 신규 및 오리지널 | ||
NXP Semiconductors |
PMV65UN,215 | IGBT Transistors MOSFET N-Chan 20V 2A |