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| PartNumber | SP000913772 | SP000919330 | SP000870646 |
| Description | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 |
| Manufacturer | Infineon | Infineon | Infineon |
| Product Category | IGBT Transistors | MOSFET | MOSFET |
| RoHS | Y | Y | Y |
| Technology | Si | Si | Si |
| Package / Case | TO-247-3 | SOT-23-3 | PG-SOT-23-3 |
| Mounting Style | Through Hole | SMD/SMT | SMD/SMT |
| Series | HighSpeed 3 | BSS138 | BSS123 |
| Packaging | Tube | Reel | Reel |
| Brand | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Type | IGBT Transistors | MOSFET | MOSFET |
| Factory Pack Quantity | 240 | 3000 | 3000 |
| Subcategory | IGBTs | MOSFETs | MOSFETs |
| Tradename | TRENCHSTOP | - | - |
| Part # Aliases | IGW100N60H3 IGW100N60H3FKSA1 SP000913772 | BSS138N BSS138NH6327XTSA2 H6327 SP000919330 | BSS123N BSS123NH6327XTSA1 H6327 SP000870646 |
| Number of Channels | - | 1 Channel | 1 Channel |
| Transistor Polarity | - | N-Channel | N-Channel |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | - | 60 V | 100 V |
| Id Continuous Drain Current | - | 230 mA | 190 mA |
| Rds On Drain Source Resistance | - | 2.2 Ohms | 6 Ohms |
| Vgs th Gate Source Threshold Voltage | - | 600 mV | 800 mV |
| Vgs Gate Source Voltage | - | 20 V | 10 V |
| Qg Gate Charge | - | 1.4 nC | 0.6 nC |
| Minimum Operating Temperature | - | - 55 C | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | - | + 150 C | + 150 C |
| Pd Power Dissipation | - | 360 mW | 500 mW (1/2 W) |
| Configuration | - | Single | Single |
| Channel Mode | - | Enhancement | Enhancement |
| Height | - | 1.1 mm | 1.1 mm |
| Length | - | 2.9 mm | 2.9 mm |
| Transistor Type | - | 1 N-channel | 1 N-Channel |
| Width | - | 1.3 mm | 1.3 mm |
| Forward Transconductance Min | - | 100 mS | 410 mS |
| Fall Time | - | 8.2 ns | 22 ns |
| Rise Time | - | 3 ns | 3.2 ns |
| Typical Turn Off Delay Time | - | 6.7 ns | 7.4 ns |
| Typical Turn On Delay Time | - | 2.3 ns | 2.3 ns |
| Unit Weight | - | 0.000282 oz | 0.000282 oz |
| Qualification | - | - | AEC-Q101 |
| 제조사 | 부분 # | 설명 | RFQ |
|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
SP000925524 | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | |
| SP000919762 | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | ||
| SP000913772 | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | ||
| SP000919330 | MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | ||
| SP000870646 | MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | ||
| SP001058824 | MOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3 | ||
| SP000934752 | MOSFET N-Ch 30V 40A TISON-8 | ||
| SP000928260 | MOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2 | ||
| SP000934750 | MOSFET N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8 | ||
| SP000934758 | MOSFET N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8 | ||
| SP000928262 | MOSFET N-Ch 650V 8.7A DPAK-2 | ||
| SP000947722 | 32-bit Microcontrollers - MCU 32 BIT FLASH | ||
| SP000934758 | RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8 | ||
| SP000934750 | RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8 | ||
| SP000934752 | RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 30V 40A TISON-8 | ||
| SP000928262 | RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 650V 8.7A DPAK-2 | ||
| SP000928260 | RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2 | ||
| SP000947722 | Microcontrollers - MCU 32-bit Microcontrollers - MCU 32 BIT FLASH | ||
| SP000947796 | Microcontrollers - MCU 32-bit Microcontrollers - MCU 32 BIT FLASH | ||
| SP000884092 | 신규 및 오리지널 | ||
| SP001 | 신규 및 오리지널 | ||
| SP001GBCFC0805V10 | 신규 및 오리지널 | ||
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| SP001210656 | 신규 및 오리지널 | ||
| SP003 | SP003 | ||
| SP004GBSDH004V10 | 신규 및 오리지널 |