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| PartNumber | SQ1464EEH-T1_GE3 | SQ1470AEH-T1_GE3 | SQ1470EH-T1-GE3 |
| Description | MOSFET 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70 | MOSFET 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ1470AEH-T1_GE3 |
| Manufacturer | Vishay | Vishay | Vishay |
| Product Category | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
| RoHS | Y | Y | Y |
| Technology | Si | Si | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | SMD/SMT | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-363-6 | SOT-363-6 | SOT-363-6 |
| Number of Channels | 1 Channel | 1 Channel | - |
| Transistor Polarity | N-Channel | N-Channel | - |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | 60 V | 30 V | - |
| Id Continuous Drain Current | 440 mA | 1.7 A | - |
| Rds On Drain Source Resistance | 1.41 Ohms | 45 mOhms | - |
| Vgs th Gate Source Threshold Voltage | 450 mV | 600 mV | - |
| Vgs Gate Source Voltage | 8 V | 12 V | - |
| Qg Gate Charge | 4.1 nC | 5.2 nC | - |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - 55 C | - |
| Maximum Operating Temperature | + 175 C | + 175 C | - |
| Pd Power Dissipation | 0.43 W | 3.3 W | - |
| Configuration | Single | Single | - |
| Channel Mode | Enhancement | Enhancement | - |
| Packaging | Reel | Reel | Reel |
| Brand | Vishay / Siliconix | Vishay / Siliconix | Vishay / Siliconix |
| Forward Transconductance Min | 5.5 S | 14 S | - |
| Fall Time | 7 ns | 8 ns | - |
| Product Type | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
| Rise Time | 21 ns | 13 ns | - |
| Factory Pack Quantity | 3000 | 3000 | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | MOSFETs | MOSFETs |
| Typical Turn Off Delay Time | 8 ns | 14 ns | - |
| Typical Turn On Delay Time | 12 ns | 10 ns | - |
| Qualification | - | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Tradename | - | TrenchFET | TrenchFET |
| Height | - | 1 mm | 1 mm |
| Length | - | 2.1 mm | 2.1 mm |
| Series | - | SQ | SQ |
| Transistor Type | - | 1 N-Channel | - |
| Width | - | 1.25 mm | 1.25 mm |
| Unit Weight | - | 0.000265 oz | 0.000265 oz |
| Part # Aliases | - | - | SQ1470EH-GE3 |
| 제조사 | 부분 # | 설명 | RFQ |
|---|---|---|---|
Vishay / Siliconix |
SQ1922AEEH-T1_GE3 | MOSFET Dual Nch 20V Vds SOT-363 | |
| SQ1464EEH-T1_GE3 | MOSFET 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70 | ||
| SQ1922EEH-T1_GE3 | MOSFET 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified | ||
| SQ1470AEH-T1_GE3 | MOSFET 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified | ||
| SQ1912EH-T1_GE3 | MOSFET 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified | ||
| SQ1539EH-T1_GE3 | MOSFET N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | ||
| SQ1563AEH-T1_GE3 | MOSFET N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified | ||
| SQ1902AEL-T1_GE3 | MOSFET N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified | ||
| SQ1470EH-T1-GE3 | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ1470AEH-T1_GE3 | ||
Grayhill |
SQ1662-3 | Screws & Fasteners MACH SCR P HD hread | |
| SQ1712-1 | Switch Hardware KNURLED FASTENER hread | ||
| SQ1712-1 | Switch Hardware KNURLED FASTENER KNURLED FASTENER hread | ||
Laird Connectivity |
SQ1853PNF | Antennas Omni,Squint,0,NF | |
Vishay |
SQ1440EH-T1_GE3 | MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6 | |
| SQ1470AEH-T1_GE3 | MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70 | ||
| SQ1470EH-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70 | ||
| SQ1912EH-T1_GE3 | MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6 | ||
| SQ1922EEH-T1_GE3 | MOSFET 2N-CH 20V SC70-6 | ||
| SQ1470AEH | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ1470AEH-T1-GE3 | N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MSFT | ||
| SQ1470EH | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ147M1R0BATME | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ1539EH-T1-GE3 | N/P CHANNEL 30V 175C MOSFET | ||
| SQ154 MSOP-10 SQ POWER M | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ1563AEH-T1-GE3 | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ160M0022A5S-1019 | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ168A | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ16SCTG | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ16SMTG | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ17 | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ17-1205S | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ170-L | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ1712PV12NF | RF ANT 1.8GHZ PANEL CAB CHAS MT | ||
| SQ1812680J9C | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ1818 | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ18EN6W | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ1902AEL-T1-GE3 | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ1902EL-T1-GE3 | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ1905EL-T1-GE3 | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ1912 | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ1912EEH | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ1912EEH-T1-GE3 | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ1920 | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ1922EEH-T1-GE3 | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ1C31-5-C4 | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ1F | 신규 및 오리지널 | ||
| SQ1G | 신규 및 오리지널 |