SQ2

SQ2308CES-T1_GE3 vs SQ2303ES-T1_GE3 vs SQ2308CES-T1-GE3

 
PartNumberSQ2308CES-T1_GE3SQ2303ES-T1_GE3SQ2308CES-T1-GE3
DescriptionMOSFET 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 QualifiedMOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 QualifiedMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ2308CES-T1_GE3
ManufacturerVishayVishayVishay
Product CategoryMOSFETMOSFETMOSFET
RoHSYYY
TechnologySiSiSi
Mounting StyleSMD/SMTSMD/SMT-
Package / CaseSOT-23-3SOT-23-3-
Number of Channels1 Channel1 Channel-
Transistor PolarityN-ChannelP-Channel-
Vds Drain Source Breakdown Voltage60 V30 V-
Id Continuous Drain Current2.3 A2.5 A-
Rds On Drain Source Resistance150 mOhms170 mOhms-
Vgs th Gate Source Threshold Voltage1.5 V1.5 V-
Vgs Gate Source Voltage10 V10 V-
Qg Gate Charge5.3 nC4.5 nC-
Minimum Operating Temperature- 55 C- 55 C-
Maximum Operating Temperature+ 175 C+ 175 C-
Pd Power Dissipation2 W1.9 W-
ConfigurationSingleSingle-
Channel ModeEnhancementEnhancement-
QualificationAEC-Q101AEC-Q101AEC-Q101
TradenameTrenchFETTrenchFETTrenchFET
PackagingReelReelReel
SeriesSQSQSQ
Transistor Type1 N-Channel1 P-Channel-
BrandVishay / SiliconixVishay / SiliconixVishay / Siliconix
Forward Transconductance Min5.5 S4 S-
Fall Time12 ns8 ns-
Product TypeMOSFETMOSFETMOSFET
Rise Time9 ns8 ns-
Factory Pack Quantity300030003000
SubcategoryMOSFETsMOSFETsMOSFETs
Typical Turn Off Delay Time12 ns12 ns-
Typical Turn On Delay Time4 ns5 ns-
Unit Weight0.000282 oz0.000282 oz0.000282 oz
Part # Aliases--SQ2308ES-T1-GE3
  • 시작
  • SQ2 218
제조사 부분 # 설명 RFQ
Vishay / Siliconix
Vishay / Siliconix
SQ2308CES-T1_GE3 MOSFET 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified
SQ2303ES-T1_GE3 MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
SQ2309ES-T1-GE3 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQ2309ES-T1_GE3
SQ2308CES-T1-GE3 MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ2308CES-T1_GE3
Vishay
Vishay
SQ2303ES-T1_GE3 MOSFET P-CHAN 30V SOT23
SQ2301ES-T1_GE3 MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
SQ2308CES-T1_GE3 MOSFET N-CH 60V 2.3A
SQ2308CES-T1_GE3-CUT TAPE 신규 및 오리지널
SQ2000800DIDNC 신규 및 오리지널
SQ2003DW 신규 및 오리지널
SQ2003J/883 신규 및 오리지널
SQ201 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, SILICON, N-CHANNEL, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET
SQ2019H2 신규 및 오리지널
SQ201AJ 신규 및 오리지널
SQ202 신규 및 오리지널
SQ203AJ 신규 및 오리지널
SQ212 신규 및 오리지널
SQ2200 신규 및 오리지널
SQ2200 3.579545M 신규 및 오리지널
SQ2200-.25MHZ 신규 및 오리지널
SQ2200-42.000M 신규 및 오리지널
SQ2200-5.000M 신규 및 오리지널
SQ22001600M 신규 및 오리지널
SQ2200E-1.000M 신규 및 오리지널
SQ221 신규 및 오리지널
SQ224532.768MHZ 신규 및 오리지널
SQ2245E-11.520 MHZ 신규 및 오리지널
SQ2245ES-1.8432M 신규 및 오리지널
SQ2245SV-10.0M 신규 및 오리지널
SQ23-010 신규 및 오리지널
SQ230 신규 및 오리지널
SQ2301ES 신규 및 오리지널
SQ2301ES-T1-E3 신규 및 오리지널
SQ2301ES-T1-GE3 P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSF
SQ2303ES 신규 및 오리지널
SQ2303ES-T1-GE3 P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
SQ2306 신규 및 오리지널
SQ2308 신규 및 오리지널
SQ2308BES 신규 및 오리지널
SQ2308BES-T1-E3 신규 및 오리지널
SQ2308BES-T1-GE3 신규 및 오리지널
SQ2308CES 신규 및 오리지널
SQ2308CES-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
SQ2308E 신규 및 오리지널
SQ2308ES 신규 및 오리지널
SQ2308ES-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SQ2308ES-T1-GE3)
SQ2308ES-TI-GE3 신규 및 오리지널
SQ2308EST1GE3 Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 60V, 0.155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
SQ2309ES-T1-E3 신규 및 오리지널
SQ2309ES-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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