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| PartNumber | STH80N10F7-2 | STH80N10LF7-2AG | STH6N95K5-2 |
| Description | MOSFET N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package | MOSFET N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package | MOSFET N-CH 950V 6A |
| Manufacturer | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Product Category | MOSFET | MOSFET | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| RoHS | Y | - | Details |
| Technology | Si | - | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | SMD/SMT | SMD/SMT |
| Package / Case | H2PAK-2 | H2PAK-3 | H2PAK-3 |
| Number of Channels | 1 Channel | 1 Channel | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | 100 V | 100 V | 950 V |
| Id Continuous Drain Current | 80 A | 80 A | 6 A |
| Rds On Drain Source Resistance | 9.5 mOhms | 10 mOhms | 1.25 Ohms |
| Vgs th Gate Source Threshold Voltage | 4.5 V | 1 V | 3 V |
| Vgs Gate Source Voltage | 20 V | 20 V | +/- 30 V |
| Qg Gate Charge | 45 nC | 28.3 nC | 13 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - 55 C | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 175 C | + 175 C | + 150 C |
| Pd Power Dissipation | 110 W | 110 W | 110 W |
| Configuration | Single | Single | 1 N-Channel |
| Channel Mode | Enhancement | Enhancement | Enhancement |
| Tradename | STripFET | - | - |
| Packaging | Reel | - | Reel |
| Series | STH80N10F7-2 | STH80N10LF7-2AG | - |
| Transistor Type | 1 N-Channel | 1 N-Channel | 1 N-Channel |
| Brand | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Fall Time | 13 ns | 21 ns | 21 ns |
| Product Type | MOSFET | MOSFET | - |
| Rise Time | 32 ns | 33 ns | 12 ns |
| Factory Pack Quantity | 1000 | 1000 | - |
| Subcategory | MOSFETs | MOSFETs | - |
| Typical Turn Off Delay Time | 36 ns | 69.3 ns | 33 ns |
| Typical Turn On Delay Time | 19 ns | 14.7 ns | 12 ns |
| Unit Weight | 0.139332 oz | - | - |
| 제조사 | 부분 # | 설명 | RFQ |
|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
STH80N10F7-2 | MOSFET N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package | |
| STH80N10LF7-2AG | MOSFET N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package | ||
| STH6N95K5-2 | MOSFET N-CH 950V 6A | ||
| STH80N10F7-2 | MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2 | ||
Altech |
STH6 | Circuit Breaker Accessories Feed-through term block, Stud type | |
| STH55N10FI | 신규 및 오리지널 | ||
| STH5N75 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH5N80-1 | 5N80-1 | ||
| STH5N90 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH5NA90 | Electronic Component | ||
| STH5NA90F1 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH60BIP | 신규 및 오리지널 | ||
| STH60L06W | 신규 및 오리지널 | ||
| STH60N05 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH60N10 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH60N10FI | 신규 및 오리지널 | ||
| STH6345 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH65N06 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH6N100 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH6N100FI | 신규 및 오리지널 | ||
| STH6N80FI | 신규 및 오리지널 | ||
| STH6N95K52 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 950V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||
| STH6NA80F1 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH6NA80FI | 신규 및 오리지널 | ||
| STH71 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH75BP | 신규 및 오리지널 | ||
| STH75N05 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH75N06 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH75N06FI | 신규 및 오리지널 | ||
| STH78764 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH78765 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH7N80 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH7NA100FI | 신규 및 오리지널 | ||
| STH7NA60 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH7NA60FI | 신규 및 오리지널 | ||
| STH7NA80FI | 신규 및 오리지널 | ||
| STH7NA90FI | 신규 및 오리지널 | ||
| STH806DTI | 신규 및 오리지널 | ||
| STH806TT | 신규 및 오리지널 | ||
| STH80N05 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH80NF55-08 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH8103 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH8103SS-TRG | 신규 및 오리지널 | ||
| STH818B | 신규 및 오리지널 | ||
| STH841006.1 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH845009.1 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH5NA100FI | 신규 및 오리지널 | ||
| STH5NA90FI | 신규 및 오리지널 | ||
| STH6NA80 | 신규 및 오리지널 | ||
| STH7NA80 | 신규 및 오리지널 |