APTGL40H120T1G

APTGL40H120T1G
Mfr. #:
APTGL40H120T1G
제조사:
Microchip / Microsemi
설명:
IGBT Modules DOR CC8085
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
APTGL40H120T1G 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
APTGL40H120T1G DatasheetAPTGL40H120T1G Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사:
마이크로칩
제품 카테고리:
IGBT 모듈
RoHS:
Y
제품:
IGBT 실리콘 모듈
구성:
풀 브리지
컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:
1.2 kV
수집기-이미터 포화 전압:
1.85 V
25C에서 연속 수집기 전류:
65 A
게이트-이미터 누설 전류:
400 nA
Pd - 전력 손실:
220 W
패키지/케이스:
SP1-12
최소 작동 온도:
- 40 C
최대 작동 온도:
+ 100 C
포장:
튜브
상표:
마이크로칩 / 마이크로세미
장착 스타일:
섀시 마운트
최대 게이트 이미터 전압:
20 V
상품 유형:
IGBT 모듈
공장 팩 수량:
1
하위 카테고리:
IGBT
단위 무게:
2.821917 oz
Tags
APTGL4, APTGL, APTG, APT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 65A 12-Pin Case SP1
***i-Key
IGBT MODULE 1200V 65A 220W SP1
***hardson RFPD
POWER IGBT TRANSISTOR
영상 부분 # 설명
APTGL40H120T1G

Mfr.#: APTGL40H120T1G

OMO.#: OMO-APTGL40H120T1G

IGBT Modules DOR CC8085
APTGL40X120T3G

Mfr.#: APTGL40X120T3G

OMO.#: OMO-APTGL40X120T3G

IGBT Modules DOR CC3132
유효성
재고:
Available
주문 시:
2500
수량 입력:
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