NE3514S02-A

NE3514S02-A
Mfr. #:
NE3514S02-A
제조사:
CEL
설명:
RF JFET Transistors K Band Super Low Noise Amp N-Ch
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
NE3514S02-A 데이터 시트
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DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
NE3514S02-A DatasheetNE3514S02-A Datasheet (P4-P6)NE3514S02-A Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사
제품 카테고리
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
포장
대부분
장착 스타일
SMD/SMT
패키지 케이스
S0-2
기술
GaAs
트랜지스터형
pHEMT
얻다
10 dB
Pd 전력 손실
165 mW
최대 작동 온도
+ 125 C
동작 주파수
20 GHz
Id-연속-드레인-전류
70 mA
Vds-드레인-소스-고장-전압
4 V
순방향 트랜스컨덕턴스-최소
55 mS
Vgs-Gate-Source-Breakdown-Voltage
- 3 V
게이트 소스 차단 전압
- 0.7 V
NF-노이즈-피겨
0.75 dB
Tags
NE3514, NE351, NE35, NE3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***p One Stop Japan
Trans JFET N-CH 4V 70mA HJFET 4-Pin Case S-02
***i-Key
HJ-FET NCH 10DB S02
부분 # 제조 설명 재고 가격
NE3514S02-A
DISTI # C1S525000486338
Renesas Electronics CorporationTrans JFET N-CH 4V 70mA HJFET 4-Pin Case S02
RoHS: Compliant
130
  • 100:$3.9700
  • 50:$4.4500
NE3514S02-A
DISTI # NE3514S02-A-ND
California Eastern Laboratories (CEL)HJ-FET NCH 10DB S02
RoHS: Compliant
Min Qty: 70
Container: *
Limited Supply - Call
    NE3514S02-A
    DISTI # 551-NE3514S02-A
    California Eastern Laboratories (CEL)RF JFET Transistors K Band Super Low Noise Amp N-Ch
    RoHS: Compliant
    0
      영상 부분 # 설명
      NE3515S02-A

      Mfr.#: NE3515S02-A

      OMO.#: OMO-NE3515S02-A

      RF JFET Transistors X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMP N-CH
      NE3514S02-T1C-A(K)

      Mfr.#: NE3514S02-T1C-A(K)

      OMO.#: OMO-NE3514S02-T1C-A-K--1152

      RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1-ELEMENT, K BAND, SILICON, N-CHANNEL, HETERO-JUNCTION FET
      NE3512S02-A

      Mfr.#: NE3512S02-A

      OMO.#: OMO-NE3512S02-A-CEL

      RF JFET Transistors C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch
      NE3511S02-T1C-A

      Mfr.#: NE3511S02-T1C-A

      OMO.#: OMO-NE3511S02-T1C-A-CEL

      RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
      NE3510M04-07-T2

      Mfr.#: NE3510M04-07-T2

      OMO.#: OMO-NE3510M04-07-T2-1190

      신규 및 오리지널
      NE3510M04-T1-A

      Mfr.#: NE3510M04-T1-A

      OMO.#: OMO-NE3510M04-T1-A-1190

      신규 및 오리지널
      NE3512S02-T1C

      Mfr.#: NE3512S02-T1C

      OMO.#: OMO-NE3512S02-T1C-1190

      신규 및 오리지널
      NE3512S02-T1D

      Mfr.#: NE3512S02-T1D

      OMO.#: OMO-NE3512S02-T1D-1190

      신규 및 오리지널
      NE3513M04-TB2

      Mfr.#: NE3513M04-TB2

      OMO.#: OMO-NE3513M04-TB2-1190

      신규 및 오리지널
      NE3517S03-T1C-A

      Mfr.#: NE3517S03-T1C-A

      OMO.#: OMO-NE3517S03-T1C-A-CEL

      Trans JFET N-CH 4V 70mA GaAs HJFET 4-Pin Case S-03 T/R
      유효성
      재고:
      Available
      주문 시:
      5500
      수량 입력:
      NE3514S02-A의 현재 가격은 참고용이며 최상의 가격을 원하시면 판매팀 [email protected]으로 문의 또는 다이렉트 이메일을 보내주십시오.
      참고 가격(USD)
      수량
      단가
      내선 가격
      1
      US$5.96
      US$5.96
      10
      US$5.66
      US$56.57
      100
      US$5.36
      US$535.95
      500
      US$5.06
      US$2 530.90
      1000
      US$4.76
      US$4 764.00
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