IPI034NE7N3 G

Mfr. #:: IPI034NE7N3 G
제조사:: Infineon Technologies
설명:: MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
수명 주기:: 이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:: IPI034NE7N3 G 데이터 시트
배달:: DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

제품 속성
속성 값

제조사:: 인피니언

제품 카테고리:: MOSFET

RoHS:: Y

기술:: 시

장착 스타일:: 구멍을 통해

패키지/케이스:: TO-262-3

채널 수:: 1 Channel

트랜지스터 극성:: N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:: 75 V

Id - 연속 드레인 전류:: 100 A

Rds On - 드레인 소스 저항:: 3.4 mOhms

Vgs - 게이트 소스 전압:: 20 V

Qg - 게이트 차지:: 88 nC

최소 작동 온도:: - 55 C

최대 작동 온도:: + 175 C

Pd - 전력 손실:: 214 W

구성:: 하나의

상표명:: 옵티모스

포장:: 튜브

키:: 9.45 mm

길이:: 10.2 mm

트랜지스터 유형:: 1 N-Channel

너비:: 4.5 mm

상표:: 인피니언 테크놀로지스

가을 시간:: 10 ns

상품 유형:: MOSFET

상승 시간:: 85 nS

공장 팩 수량:: 500

하위 카테고리:: MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:: 40 nS

부품 번호 별칭:: IPI034NE7N3GAKSA1 SP000641734

단위 무게:: 0.084199 oz

Tags: IPI034NE7N3G, IPI034, IPI03, IPI0, IPI

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Step3:
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IPI034NE7N3 G 설명

***et: Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin TO-262 Tube

*** Electronic Components: IGBT Transistors MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

***: N-Channel 75 V 1A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

Market price

부분 #	제조	설명	재고	가격
IPI034NE7N3 G DISTI # IPI034NE7N3G-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3 RoHS: Compliant Min Qty: 500 Container: Tube	Limited Supply - Call
IPI034NE7N3G	Infineon Technologies AG	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA RoHS: Compliant	7459	1000:$1.2700 500:$1.3300 100:$1.3900 25:$1.4500 1:$1.5600
IPI034NE7N3GAKSA1	Infineon Technologies AG	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA RoHS: Compliant	498	1:$0.0200 25:$0.0200 100:$0.0200 500:$0.0200 1000:$0.0200
IPI034NE7N3 G DISTI # 726-IPI034NE7N3G	Infineon Technologies AG	MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3 RoHS: Compliant	0

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영상	부분 #	설명
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