SQJ200EP-T1_GE3

제품 속성

속성 값

제조사:

비쉐이

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

PowerPAK-SO-8L-4

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

20 V

Id - 연속 드레인 전류:

20 A, 60 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

7.4 mOhms, 3.1 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

18 nC, 43 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

27 W, 48 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

자격:

AEC-Q101

상표명:

TrenchFET

포장:

릴

키:

1.04 mm

길이:

6.15 mm

시리즈:

광장

트랜지스터 유형:

2 N-Channel

너비:

5.13 mm

상표:

비쉐이 / 실리콘닉스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

55 S, 60 S

가을 시간:

13 ns, 14 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

18 ns, 17 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

13 ns, 19 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

4 ns, 7 ns

단위 무게:

0.017870 oz

Tags

SQJ200, SQJ20, SQJ2, SQJ