IPW60R190E6

제품 속성

속성 값

제조사:

인피니언

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-247-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

600 V

Id - 연속 드레인 전류:

20.2 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

170 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2.5 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

63 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

151 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

상표명:

쿨모스

포장:

튜브

키:

21.1 mm

길이:

16.13 mm

시리즈:

CoolMOS E6

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

너비:

5.21 mm

상표:

인피니언 테크놀로지스

가을 시간:

8 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

10 ns

공장 팩 수량:

240

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

90 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

12 ns

부품 번호 별칭:

IPW60R190E6FKSA1 IPW6R19E6XK SP000797384

단위 무게:

1.340411 oz

Tags

IPW60R190E, IPW60R190, IPW60R19, IPW60R1, IPW60, IPW6, IPW