CDM22010-650

제품 속성

속성 값

제조사:

중앙반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-220-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

650 V

Id - 연속 드레인 전류:

5 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

1 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

20 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

156 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

대부분

시리즈:

CDM22010

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

중앙반도체

가을 시간:

36 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

33 ns

공장 팩 수량:

400

하위 카테고리:

MOSFET

부품 번호 별칭:

CDM22010-650 PBFREE

Tags

CDM2201, CDM220, CDM22, CDM2, CDM