PSMN3R0-60ES,127

제품 속성

속성 값

제조사:

넥스페리아

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

E

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

I2PAK-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

60 V

Id - 연속 드레인 전류:

83.4 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

3 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

130 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

306 W

구성:

하나의

포장:

튜브

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

넥스페리아

가을 시간:

22 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

26 ns

공장 팩 수량:

50

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

77 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

31 ns

단위 무게:

0.084199 oz

Tags

PSMN3R0-6, PSMN3R0, PSMN3, PSMN, PSM