TH58NYG2S3HBAI6

Mfr. #:: TH58NYG2S3HBAI6
제조사:: Toshiba Memory
설명:: NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
수명 주기:: 이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:: TH58NYG2S3HBAI6 데이터 시트
배달:: DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

제품 속성
속성 값

제조사:: 도시바

제품 카테고리:: 낸드 플래시

RoHS:: Y

장착 스타일:: SMD/SMT

패키지/케이스:: VFBGA-67

메모리 크기:: 4 Gbit

인터페이스 유형:: 평행 한

조직:: 512 M x 8

데이터 버스 폭:: 8 bit

공급 전압 - 최소:: 1.7 V

공급 전압 - 최대:: 1.95 V

최소 작동 온도:: - 40 C

최대 작동 온도:: + 85 C

포장:: 쟁반

메모리 유형:: 낸드

상표:: 도시바 메모리

습기에 민감한:: 네

상품 유형:: 낸드 플래시

공장 팩 수량:: 210

하위 카테고리:: 메모리 및 데이터 저장

Tags: TH58NYG2, TH58NY, TH58N, TH58, TH5

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