C3M0065100J

Mfr. #:: C3M0065100J
제조사:: N/A
설명:: MOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
수명 주기:: 이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:: C3M0065100J 데이터 시트
배달:: DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

제품 속성
속성 값

제조사:: 주식회사 크리

제품 카테고리:: MOSFET

RoHS:: Y

기술:: SiC

장착 스타일:: SMD/SMT

패키지/케이스:: TO-263-7

채널 수:: 1 Channel

트랜지스터 극성:: N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:: 1 kV

Id - 연속 드레인 전류:: 35 A

Rds On - 드레인 소스 저항:: 65 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:: 1.8 V

Vgs - 게이트 소스 전압:: 15 V, - 4 V

Qg - 게이트 차지:: 35 nC

최소 작동 온도:: - 55 C

최대 작동 온도:: + 150 C

Pd - 전력 손실:: 113.5 W

구성:: 하나의

채널 모드:: 상승

포장:: 튜브

트랜지스터 유형:: 1 N-Channel

상표:: 울프스피드 / 크리어

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:: 14.3 S

가을 시간:: 7.5 ns

상품 유형:: MOSFET

상승 시간:: 9 ns

공장 팩 수량:: 50

하위 카테고리:: MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:: 13 ns

일반적인 켜기 지연 시간:: 13 ns

단위 무게:: 0.077603 oz

Tags: C3M00651, C3M006, C3M00, C3M0, C3M

Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1:
Vacuum Packaging with PL

Step2:
Anti-Static Bag

Step3:
Packaging Boxes

C3M0065100J 설명

***Components: In a Tube of 50, SiC N-Channel MOSFET, 35 A, 1000 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0065100J

***ark: Mosfet, N-Ch, 1Kv, 35A, To-263 Rohs Compliant: Yes

***i-Key: MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7

***ment14 APAC: 场效应管, MOSFET, N沟道, 1KV, 35A, TO-263;

***hardson RFPD: SILICON CARBIDE MOSFETS

***nell: MOSFET, CA-N, 1KV, 35A, TO-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:35A; Tensione Drain Source Vds:1kV; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.065ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):15V; Tensione di Soglia Vgs:2.1V; Dissipazione di Potenza Pd:113.5W; Modello Case Transistor:TO-263; No. di Pin:7Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:C3M Series; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):MSL 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (12-Jan-2017)

Market price

부분 #	제조	설명	재고	가격
C3M0065100J DISTI # C3M0065100J-ND	Wolfspeed	MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Tube	1624In Stock	1:$12.7700
C3M0065100J-TR DISTI # C3M0065100J-TR-ND	Wolfspeed	1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET RoHS: Not compliant Min Qty: 1600 Container: Tape & Reel (TR)	Temporarily Out of Stock	1600:$12.7680
C3M0065100J DISTI # 941-C3M0065100J	Cree, Inc.	MOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7 RoHS: Compliant	1065	1:$12.1600 100:$11.6900 500:$11.1200
C3M0065100J DISTI # 2749950	Wolfspeed	MOSFET, N-CH, 1KV, 35A, TO-263 RoHS: Compliant	919	1:$19.4400
C3M0065100J DISTI # 2749950	Wolfspeed	MOSFET, N-CH, 1KV, 35A, TO-263 RoHS: Compliant	1965	100:£9.4900 50:£9.5700 10:£9.6600 5:£9.7400 1:£10.3000

관련 상품

영상	부분 #	설명
	Mfr.#: BC856BW,115 OMO.#: OMO-BC856BW-115	Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-7
	Mfr.#: C3M0120100J OMO.#: OMO-C3M0120100J	MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
	Mfr.#: C3M0065090J OMO.#: OMO-C3M0065090J	MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
	Mfr.#: GS66508T-E02-MR OMO.#: OMO-GS66508T-E02-MR	MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
	Mfr.#: C3M0075120J OMO.#: OMO-C3M0075120J	MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
	Mfr.#: C3M0120100J OMO.#: OMO-C3M0120100J-WOLFSPEED	MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
	Mfr.#: GS66508T-E02-MR OMO.#: OMO-GS66508T-E02-MR-1190	MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
	Mfr.#: C3M0075120J OMO.#: OMO-C3M0075120J-WOLFSPEED	MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
	Mfr.#: C3M0065090J OMO.#: OMO-C3M0065090J-WOLFSPEED	MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
	Mfr.#: BC856BW,115 OMO.#: OMO-BC856BW-115-NEXPERIA	Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-7