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IXBX25N250

IXBX25N250
Mfr. #:
IXBX25N250
제조사:
Littelfuse
설명:
IGBT Transistors DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
IXBX25N250 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXBX25N250 DatasheetIXBX25N250 Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사:
익시스
제품 카테고리:
IGBT 트랜지스터
RoHS:
Y
기술:
시
패키지/케이스:
TO-247-3
장착 스타일:
구멍을 통해
구성:
하나의
컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:
2.5 kV
수집기-이미터 포화 전압:
3.3 V
최대 게이트 이미터 전압:
20 V
25C에서 연속 수집기 전류:
55 A
Pd - 전력 손실:
300 W
최소 작동 온도:
- 55 C
최대 작동 온도:
+ 150 C
시리즈:
매우 높은 전압
포장:
튜브
연속 수집가 현재 IC 최대:
55 A
키:
21.34 mm
길이:
16.13 mm
너비:
5.21 mm
상표:
익시스
게이트-이미터 누설 전류:
+/- 100 nA
상품 유형:
IGBT 트랜지스터
공장 팩 수량:
30
하위 카테고리:
IGBT
상표명:
바이모스펫
단위 무게:
0.056438 oz
Tags
IXBX, IXB
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 2500V 55A 300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
***ure Electronics
N-Channel 2500 V 55 A 300 W BIMOSFET Monolithic Bipolar Mosfet - PLUS-247
***p One Stop Global
Trans IGBT Chip N-CH 2.5KV 55A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
***i-Key
IGBT 2500V 55A 300W PLUS247
부분 # 제조 설명 재고 가격
IXBX25N250
DISTI # V36:1790_07768241		IXYS CorporationTrans IGBT Chip N-CH 2.5KV 55A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
RoHS: Compliant		0
  • 30000:$20.2400
  • 15000:$20.2500
  • 3000:$23.5000
  • 300:$31.8300
  • 30:$33.4000
IXBX25N250
DISTI # V99:2348_07768241		IXYS CorporationTrans IGBT Chip N-CH 2.5KV 55A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
RoHS: Compliant		0
  • 500:$23.0200
  • 250:$24.1700
  • 100:$25.0300
  • 50:$26.5400
  • 25:$28.3100
  • 10:$30.7400
  • 5:$31.6200
  • 1:$33.2700
IXBX25N250
DISTI # IXBX25N250-ND		IXYS CorporationIGBT 2500V 55A 300W PLUS247
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		On Order
  • 120:$27.7053
  • 30:$29.8097
  • 10:$32.4400
  • 1:$35.0700
IXBX25N250
DISTI # 747-IXBX25N250		IXYS CorporationIGBT Transistors
RoHS: Compliant		0
  • 1:$33.4000
  • 5:$31.7300
  • 10:$30.9000
  • 25:$28.3900
  • 50:$27.7100
  • 100:$26.3900
  • 250:$24.2100
영상 부분 # 설명
NTHL080N120SC1

Mfr.#: NTHL080N120SC1

OMO.#: OMO-NTHL080N120SC1

 MOSFET SIC MOS 80MW 1200V
C2M0280120D

Mfr.#: C2M0280120D

OMO.#: OMO-C2M0280120D

 MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
C2M0040120D

Mfr.#: C2M0040120D

OMO.#: OMO-C2M0040120D

 MOSFET SiC Power MOSFET 1200V, 60A
IXBH12N300

Mfr.#: IXBH12N300

OMO.#: OMO-IXBH12N300

 IGBT Transistors DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
IXBH20N300

Mfr.#: IXBH20N300

OMO.#: OMO-IXBH20N300

 IGBT Transistors DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
IXYH24N170C

Mfr.#: IXYH24N170C

OMO.#: OMO-IXYH24N170C

 IGBT Transistors 1700V/58A High Volt
MRA-1247R00FE12

Mfr.#: MRA-1247R00FE12

OMO.#: OMO-MRA-1247R00FE12

 Wirewound Resistors - Through Hole 10watt 47ohm 1%
AMP02FPZ

Mfr.#: AMP02FPZ

OMO.#: OMO-AMP02FPZ-ANALOG-DEVICES-INC-ADI

 Instrumentation Amplifiers 8-Pin Hi Accuracy IC
C2M0040120D

Mfr.#: C2M0040120D

OMO.#: OMO-C2M0040120D-WOLFSPEED

 MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247
C2M0280120D

Mfr.#: C2M0280120D

OMO.#: OMO-C2M0280120D-WOLFSPEED

 MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
유효성
재고:
Available
주문 시:
2500
수량 입력:
IXBX25N250의 현재 가격은 참고용이며 최상의 가격을 원하시면 판매팀 [email protected]으로 문의 또는 다이렉트 이메일을 보내주십시오.
참고 가격(USD)
수량
단가
내선 가격
1
US$33.40
US$33.40
5
US$31.73
US$158.65
10
US$30.90
US$309.00
25
US$28.39
US$709.75
50
US$27.71
US$1 385.50
100
US$26.39
US$2 639.00
250
US$24.21
US$6 052.50
500
US$23.05
US$11 525.00
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