IXTY1R6N100D2-TRL

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

이산 반도체 모듈

RoHS:

Y

제품:

전력 MOSFET 모듈

유형:

고갈 모드

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-252-3

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

포장:

릴

구성:

하나의

상표:

익시스

트랜지스터 극성:

N-채널

가을 시간:

41 ns

Id - 연속 드레인 전류:

1.6 A

Pd - 전력 손실:

100 W

상품 유형:

이산 반도체 모듈

Rds On - 드레인 소스 저항:

10 Ohms

상승 시간:

65 ns

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

이산 반도체 모듈

일반적인 끄기 지연 시간:

34 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

27 ns

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

1000 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

- 4.5 V

Tags

IXTY1R6, IXTY1R, IXTY1, IXTY, IXT