MJD32C-13

제품 속성

속성 값

제조사:

다이오드 주식회사

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-252-3

트랜지스터 극성:

PNP

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

100 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

100 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

6 V

수집기-이미터 포화 전압:

1.2 V

최대 DC 수집기 전류:

3 A

이득 대역폭 곱 fT:

3 MHz

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

MJD32C

키:

2.4 mm

길이:

6.8 mm

포장:

릴

너비:

6.2 mm

상표:

다이오드 주식회사

Pd - 전력 손실:

1560 mW

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

트랜지스터

Tags

MJD32C-1, MJD32C, MJD32, MJD3, MJD