CSD19532KTTT

제품 속성

속성 값

제조사:

텍사스 인스트루먼트

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

E

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-263-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

100 V

Id - 연속 드레인 전류:

200 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

5.6 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2.6 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

44 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

250 W

구성:

하나의

상표명:

넥스펫

포장:

릴

키:

19.7 mm

길이:

9.25 mm

제품:

파워 MOSFET

시리즈:

CSD19532KTT

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

유형:

N-채널 MOSFET

너비:

10.26 mm

상표:

텍사스 인스트루먼트

가을 시간:

2 ns

습기에 민감한:

네

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

3 ns

공장 팩 수량:

50

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

14 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

9 ns

단위 무게:

0.068643 oz

Tags

CSD19532, CSD1953, CSD19, CSD1, CSD