MPSH10RLRA

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

N

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-92-3

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

25 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

30 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

3 V

수집기-이미터 포화 전압:

0.5 V

이득 대역폭 곱 fT:

650 MHz

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

키:

5.33 mm (Max)

길이:

5.2 mm (Max)

포장:

릴

너비:

4.19 mm (Max)

상표:

온세미컨덕터

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

60

Pd - 전력 손실:

350 W

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

2000

하위 카테고리:

트랜지스터

Tags

MPSH10RL, MPSH10R, MPSH10, MPSH1, MPSH, MPS