TC58BYG2S0HBAI4

Mfr. #:: TC58BYG2S0HBAI4
제조사:: Toshiba Memory
설명:: NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
수명 주기:: 이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:: TC58BYG2S0HBAI4 데이터 시트
배달:: DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

제품 속성
속성 값

제조사:: 도시바

제품 카테고리:: 낸드 플래시

RoHS:: Y

장착 스타일:: SMD/SMT

패키지/케이스:: TFBGA-63

메모리 크기:: 4 Gbit

인터페이스 유형:: 평행 한

조직:: 512 M x 8

타이밍 유형:: 동기

데이터 버스 폭:: 8 bit

공급 전압 - 최소:: 1.7 V

공급 전압 - 최대:: 1.95 V

공급 전류 - 최대:: 30 mA

최소 작동 온도:: - 40 C

최대 작동 온도:: + 85 C

포장:: 쟁반

메모리 유형:: 낸드

상표:: 도시바 메모리

습기에 민감한:: 네

상품 유형:: 낸드 플래시

공장 팩 수량:: 210

하위 카테고리:: 메모리 및 데이터 저장

Tags: TC58BYG2, TC58BY, TC58B, TC58, TC5

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Step1:
Vacuum Packaging with PL

Step2:
Anti-Static Bag

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Packaging Boxes

Market price

부분 #	제조	설명	재고	가격
TC58BYG2S0HBAI4 DISTI # TC58BYG2S0HBAI4-ND	Toshiba Semiconductor and Storage Products	4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Tray	210In Stock	1050:$3.3888 630:$3.5643 420:$3.7006 210:$3.7145 50:$4.1418 25:$4.1648 10:$4.2570 1:$4.6900
TC58BYG2S0HBAI4 DISTI # TC58BYG2S0HBAI4	Toshiba America Electronic Components	SLC NAND Flash Parallel 1.8V 4Gbit 512M 8Bit 25ns 63-Pin TFBGA - Trays (Alt: TC58BYG2S0HBAI4) RoHS: Compliant Min Qty: 210 Container: Tray	Americas - 0	2100:$2.5900 840:$2.6900 1260:$2.6900 210:$2.7900 420:$2.7900
TC58BYG2S0HBAI4 DISTI # TC58BYG2S0HBAI4	Toshiba America Electronic Components	SLC NAND Flash Parallel 1.8V 4Gbit 512M 8Bit 25ns 63-Pin TFBGA (Alt: TC58BYG2S0HBAI4) RoHS: Compliant Min Qty: 1050	Asia - 0
TC58BYG2S0HBAI4_TRAY DISTI # TC58BYG2S0HBAI4_TRAY	Toshiba America Electronic Components	NAND Flash Memory (Alt: TC58BYG2S0HBAI4_TRAY) RoHS: Compliant Min Qty: 1	Europe - 0	1000:€2.3900 100:€2.5900 500:€2.5900 50:€2.7900 25:€2.8900 10:€2.9900 1:€3.2900
TC58BYG2S0HBAI4 DISTI # 757-TC58BYG2S0HBAI4	Toshiba America Electronic Components	NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) RoHS: Compliant	210	1:$4.7000 10:$4.2600 25:$4.1700 50:$4.1400 100:$3.7100 250:$3.7000 500:$3.5600 1000:$3.3900

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영상	부분 #	설명
	Mfr.#: TC58BYG1S3HBAI6 OMO.#: OMO-TC58BYG1S3HBAI6	NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
	Mfr.#: TC58BYG1S3HBAI4 OMO.#: OMO-TC58BYG1S3HBAI4	NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
	Mfr.#: TC58BYG0S3HAI6 OMO.#: OMO-TC58BYG0S3HAI6-1190	신규 및 오리지널
	Mfr.#: TC58BYG2S0HBAI6 OMO.#: OMO-TC58BYG2S0HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA	IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA Benand
	Mfr.#: TC58BYG0S3HBAI6 OMO.#: OMO-TC58BYG0S3HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA	IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA Benand
	Mfr.#: TC58BYG1S3HBAI4_REEL OMO.#: OMO-TC58BYG1S3HBAI4-REEL-1151	SLC NAND Flash Serial 1.8V 2Gbit 256M x 8Bit 63-Pin TFBGA (Alt: TC58BYG1S3HBAI4)
	Mfr.#: TC58BYG0S3HBAI4-ND OMO.#: OMO-TC58BYG0S3HBAI4-ND-1190	신규 및 오리지널
	Mfr.#: TC58BYG1S3HBAI6-ND OMO.#: OMO-TC58BYG1S3HBAI6-ND-1190	신규 및 오리지널
	Mfr.#: TC58BYG2S0HBAI4 OMO.#: OMO-TC58BYG2S0HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA	4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE Benand
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