Jan2N3637/TR

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

N

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-205AD-3

트랜지스터 극성:

PNP

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

175 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

175 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

5 V

수집기-이미터 포화 전압:

0.3 V

최대 DC 수집기 전류:

1 A

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 200 C

DC 전류 이득 hFE 최대:

300 at - 50 mA, - 10 V

상표:

마이크로칩 / 마이크로세미

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

55 at 100 uA, 10 V

Pd - 전력 손실:

5 W

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

1

하위 카테고리:

트랜지스터

Tags

Jan2N3637, JAN2N36, Jan2N3, Jan2N, Jan2, JAN