TGF2935

Mfr. #:: TGF2935
제조사:: Qorvo
설명:: RF JFET Transistors DC-25GHz 5Watt NF 1.3dB GaN
수명 주기:: 이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:: TGF2935 데이터 시트
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추가 정보:: TGF2935 추가 정보

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제조사:: 코르보

제품 카테고리:: RF JFET 트랜지스터

RoHS:: Y

트랜지스터 유형:: 헴트

기술:: GaN SiC

얻다:: 16 dB

트랜지스터 극성:: N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:: -

Vgs - 게이트 소스 항복 전압:: -

Id - 연속 드레인 전류:: 360 mA

출력 파워:: 4.8 W

최대 드레인 게이트 전압:: -

최소 작동 온도:: - 40 C

최대 작동 온도:: + 85 C

Pd - 전력 손실:: 5 W

장착 스타일:: SMD/SMT

포장:: 젤팩

애플리케이션:: 국방 및 항공우주, 광대역 무선

구성:: 하나의

동작 주파수:: DC to 25 GHz

시리즈:: TGF

상표:: 코르보

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:: -

NF - 노이즈 피겨:: 1.3 dB

상품 유형:: RF JFET 트랜지스터

공장 팩 수량:: 50

하위 카테고리:: 트랜지스터

부품 번호 별칭:: 1113815

Tags: TGF293, TGF29, TGF2, TGF

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TGF2935 설명

***W: RF Power Transistor, DC - 25 Ghz, 16 dB, 5 W, 28 V, GaN, .60 x .55 x.10, DIE

TGF2935 추가 정보

QPD GaN RF Transistors: Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

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