TPS1120DG4

제품 속성

속성 값

제조사:

텍사스 인스트루먼트

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOIC-8

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

15 V

Id - 연속 드레인 전류:

2.7 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

180 mOhms

Vgs - 게이트 소스 전압:

2 V, - 15 V

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 125 C

Pd - 전력 손실:

840 mW

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

포장:

튜브

키:

1.75 mm

길이:

4.9 mm

제품:

MOSFET 소신호

시리즈:

TPS1120

트랜지스터 유형:

2 P-Channel

유형:

듀얼 P-채널 향상 모드

너비:

3.9 mm

상표:

텍사스 인스트루먼트

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

2.5 S

가을 시간:

10 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

10 ns

공장 팩 수량:

75

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

13 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

4.5 ns

단위 무게:

0.002677 oz

Tags

TPS1120D, TPS112, TPS11, TPS1, TPS