HUF76609D3ST

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

E

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-252-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

100 V

Id - 연속 드레인 전류:

10 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

130 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

16 V

Qg - 게이트 차지:

16 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

49 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

2.39 mm

길이:

6.73 mm

시리즈:

HUF76609D3S

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

유형:

MOSFET

너비:

6.22 mm

상표:

온세미컨덕터 / 페어차일드

가을 시간:

28 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

41 ns

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

30 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

10 ns

부품 번호 별칭:

HUF76609D3ST_NL

단위 무게:

0.009184 oz

Tags

HUF76609D3ST, HUF76609D3S, HUF7660, HUF766, HUF76, HUF7, HUF