AS4C512M8D3LB-10BIN

AS4C512M8D3LB-10BIN
Mfr. #:
AS4C512M8D3LB-10BIN
제조사:
Alliance Memory
설명:
DRAM 4G - B DIE - 10NS OPTION 512M x 8 1.35V 933MHz DDR3-1866bps/pin Industrial (-40 95 C) 78-ball FBGA
수명 주기:
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데이터 시트:
AS4C512M8D3LB-10BIN 데이터 시트
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DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사:
얼라이언스 메모리
제품 카테고리:
적은 양
RoHS:
Y
유형:
SDRAM - DDR3L
데이터 버스 폭:
8 bit
조직:
512 M x 8
패키지/케이스:
FBGA-78
메모리 크기:
4 Gbit
최대 클록 주파수:
933 MHz
공급 전압 - 최대:
1.45 V
공급 전압 - 최소:
1.283 V
공급 전류 - 최대:
60 mA
최소 작동 온도:
- 40 C
최대 작동 온도:
+ 95 C
시리즈:
AS4C512M8D3LB-10
포장:
쟁반
상표:
얼라이언스 메모리
장착 스타일:
SMD/SMT
습기에 민감한:
상품 유형:
적은 양
공장 팩 수량:
220
하위 카테고리:
메모리 및 데이터 저장
Tags
AS4C512M8D3LB-10, AS4C512M8D3LB, AS4C512M8D3L, AS4C512M8, AS4C5, AS4C, AS4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
영상 부분 # 설명
AS4C512M8D3LB-12BAN

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DRAM 4G 1.35V 800MHz 512Mx8 DDR3 A-Temp
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DRAM 4G 1.35V 800MHz 512M x 8 DDR3 I-Temp
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DRAM 4G 1.35V 800MHz 512Mx8 DDR3 A-Temp
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DRAM 4G 1.5V 1600Mhz 512M x 8 DDR3
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DRAM 4G 1.35V 1600Mhz 512M x 8 DDR3
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IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
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DRAM 4G 1.35V 1600Mhz 512M x 8 DDR3
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IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Automotive, AEC-Q100
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IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
유효성
재고:
Available
주문 시:
4500
수량 입력:
AS4C512M8D3LB-10BIN의 현재 가격은 참고용이며 최상의 가격을 원하시면 판매팀 [email protected]으로 문의 또는 다이렉트 이메일을 보내주십시오.
참고 가격(USD)
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단가
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220
US$9.31
US$2 048.20
440
US$8.85
US$3 894.00
660
US$8.70
US$5 742.00
1100
US$8.46
US$9 306.00
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