APT75GP120B2G

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

IGBT 트랜지스터

RoHS:

Y

기술:

시

패키지/케이스:

T-Max-3

장착 스타일:

구멍을 통해

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

1.2 kV

수집기-이미터 포화 전압:

3.3 V

최대 게이트 이미터 전압:

30 V

25C에서 연속 수집기 전류:

100 A

Pd - 전력 손실:

1.042 kW

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

포장:

튜브

연속 수집가 현재 IC 최대:

100 A

키:

5.31 mm

길이:

21.46 mm

작동 온도 범위:

- 55 C to + 150 C

너비:

16.26 mm

상표:

마이크로칩 / 마이크로세미

지속적인 수집가 전류:

100 A

게이트-이미터 누설 전류:

100 nA

상품 유형:

IGBT 트랜지스터

공장 팩 수량:

1

하위 카테고리:

IGBT

상표명:

POWER MOS 7 IGBT

Tags

APT75GP, APT75G, APT75, APT7, APT