T1G2028536-FS

제품 속성

속성 값

제조사:

코르보

제품 카테고리:

RF JFET 트랜지스터

RoHS:

Y

트랜지스터 유형:

헴트

기술:

GaN SiC

얻다:

18 dB

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

36 V

Vgs - 게이트 소스 항복 전압:

145 V

Id - 연속 드레인 전류:

24 A

출력 파워:

260 W

최대 드레인 게이트 전압:

48 V

최대 작동 온도:

+ 250 C

Pd - 전력 손실:

288 W

장착 스타일:

SMD/SMT

포장:

쟁반

구성:

하나의

동작 주파수:

2 GHz

제품:

RF 전력 트랜지스터

시리즈:

T1G

유형:

GaN SiC HEMT

상표:

코르보

습기에 민감한:

네

상품 유형:

RF JFET 트랜지스터

공장 팩 수량:

25

하위 카테고리:

트랜지스터

부품 번호 별칭:

1110346

Tags

T1G2028536, T1G2, T1G