2N6126

제품 속성

속성 값

제조사:

중앙반도체

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-220-3

트랜지스터 극성:

PNP

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

80 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

80 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

5 V

수집기-이미터 포화 전압:

1.4 V

최대 DC 수집기 전류:

4 A

이득 대역폭 곱 fT:

2.5 MHz

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

2N6126

포장:

대부분

상표:

중앙반도체

지속적인 수집가 전류:

0.45 A

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

7 at 4 A, 2 V

Pd - 전력 손실:

40 W

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

400

하위 카테고리:

트랜지스터

부품 번호 별칭:

2N6126 PBFREE

단위 무게:

0.081130 oz

Tags

2N612, 2N61, 2N6