NTD5865N-1G

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-247-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

60 V

Id - 연속 드레인 전류:

38 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

14 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

4 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

23 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

52 W

구성:

하나의

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

온세미컨덕터

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

6.9 S

상품 유형:

MOSFET

공장 팩 수량:

75

하위 카테고리:

MOSFET

단위 무게:

0.139332 oz

Tags

NTD5865, NTD586, NTD58, NTD5, NTD