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| PartNumber | NTD5802NT4G | NTD5802N | NTD5804N |
| Description | MOSFET 101A, 40V, 4.2mOhms N-Channel | ||
| Manufacturer | ON Semiconductor | ON | ON |
| Product Category | MOSFET | FETs - Single | FETs - Single |
| RoHS | Y | - | - |
| Technology | Si | - | - |
| Mounting Style | SMD/SMT | - | - |
| Package / Case | TO-252-3 | - | - |
| Number of Channels | 1 Channel | - | - |
| Transistor Polarity | N-Channel | - | - |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | 40 V | - | - |
| Id Continuous Drain Current | 101 A | - | - |
| Rds On Drain Source Resistance | 4.4 mOhms | - | - |
| Vgs th Gate Source Threshold Voltage | 1.5 V | - | - |
| Vgs Gate Source Voltage | 20 V | - | - |
| Qg Gate Charge | 75 nC | - | - |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - | - |
| Maximum Operating Temperature | + 175 C | - | - |
| Pd Power Dissipation | 93.75 W | - | - |
| Configuration | Single | - | - |
| Channel Mode | Enhancement | - | - |
| Packaging | Reel | - | - |
| Height | 2.38 mm | - | - |
| Length | 6.73 mm | - | - |
| Series | NTD5802N | - | - |
| Transistor Type | 1 N-Channel | - | - |
| Type | Power MOSFET | - | - |
| Width | 6.22 mm | - | - |
| Brand | ON Semiconductor | - | - |
| Forward Transconductance Min | 16.8 S | - | - |
| Fall Time | 8.5 ns | - | - |
| Product Type | MOSFET | - | - |
| Rise Time | 52 ns | - | - |
| Factory Pack Quantity | 2500 | - | - |
| Subcategory | MOSFETs | - | - |
| Typical Turn Off Delay Time | 39 ns | - | - |
| Typical Turn On Delay Time | 14 ns | - | - |
| Unit Weight | 0.139332 oz | - | - |
| 제조사 | 부분 # | 설명 | RFQ |
|---|---|---|---|
| NTD5867NLT4G | MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM | ||
| NTD5865NLT4G | MOSFET Single N-CH 60V 40A | ||
| NTD5862NT4G | MOSFET NFET DPAK 60V 102A 6MOHM | ||
| NTD5802NT4G | MOSFET 101A, 40V, 4.2mOhms N-Channel | ||
| NTD5802N | 신규 및 오리지널 | ||
| NTD5804N | 신규 및 오리지널 | ||
| NTD5804NG | 신규 및 오리지널 | ||
| NTD5805NG | 신규 및 오리지널 | ||
| NTD5806N | 신규 및 오리지널 | ||
| NTD5806NG | 신규 및 오리지널 | ||
| NTD5807N | 신규 및 오리지널 | ||
| NTD5862N | 신규 및 오리지널 | ||
| NTD5862NT4G , FL1100-1Q0 | 신규 및 오리지널 | ||
| NTD5865N | 신규 및 오리지널 | ||
| NTD5865NL1G | 신규 및 오리지널 | ||
| NTD5865NLG | 신규 및 오리지널 | ||
| NTD5867NL | 신규 및 오리지널 | ||
| NTD5867NLG | 신규 및 오리지널 | ||
| NTD5867NLT | 신규 및 오리지널 | ||
| NTD5867NLT4G 5867 | 신규 및 오리지널 | ||
| NTD5862NT4G-CUT TAPE | 신규 및 오리지널 | ||
| NTD5865NLT4G-CUT TAPE | 신규 및 오리지널 | ||
| NTD5867NLT4G-CUT TAPE | 신규 및 오리지널 | ||
ON Semiconductor |
NTD5807NT4G | MOSFET NFET DPAK 40V 23A 31mOhm | |
| NTD5805NT4G | MOSFET NFET DPAK 40V 51A 9.5mOhm | ||
| NTD5862N-1G | MOSFET NFET IPAK 60V 102A 6MOHM | ||
| NTD5867NL-1G | MOSFET NFET IPAK 60V 18A 43 MOHM | ||
| NTD5803NT4G | MOSFET NFET DPAK 40V 75A 7.4mOhm | ||
| NTD5865NT4G | MOSFET Single N-CH 60V 38A | ||
| NTD5865NL-1G | MOSFET Single N-CH 60V 40A | ||
| NTD5865N-1G | MOSFET Single N-CH 60V 38A | ||
| NTD5804NT4G | MOSFET NFET DPAK 40V 69A 8.5mOhm | ||
| NTD5802NT4G | MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK | ||
| NTD5803NT4G | MOSFET N-CH 40V 76A DPAK | ||
| NTD5805NT4G | MOSFET N-CH 40V 51A DPAK | ||
| NTD5806NT4G | MOSFET N-CH 40V 33A DPAK | ||
| NTD5862NT4G | MOSFET N-CH 60V 98A DPAK | ||
| NTD5865N-1G | MOSFET N-CH 60V 43A DPAK | ||
| NTD5865NL-1G | MOSFET N-CH 60V 46A IPAK | ||
| NTD5865NT4G | MOSFET N-CH 60V 43A DPAK | ||
| NTD5867NL-1G | MOSFET N-CH 60V 20A IPAK | ||
| NTD5867NLT4G | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK | ||
| NTD5804NT4G | IGBT Transistors MOSFET NFET DPAK 40V 69A 8.5mOhm | ||
| NTD5862N-1G | IGBT Transistors MOSFET NFET IPAK 60V 102A 6MOHM | ||
| NTD5865NLT4G | IGBT Transistors MOSFET Single N-CH 60V 40A | ||
| NTD5807NT4G | IGBT Transistors MOSFET NFET DPAK 40V 23A 31mOhm |