HGT1S7N60C3DS

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

IGBT 트랜지스터

RoHS:

E

기술:

시

패키지/케이스:

TO-263AB-3

장착 스타일:

SMD/SMT

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

600 V

수집기-이미터 포화 전압:

1.6 V

최대 게이트 이미터 전압:

20 V

25C에서 연속 수집기 전류:

14 A

Pd - 전력 손실:

60 W

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

포장:

튜브

연속 수집가 현재 IC 최대:

14 A

키:

4.83 mm

길이:

10.67 mm

너비:

9.65 mm

상표:

온세미컨덕터 / 페어차일드

지속적인 수집가 전류:

14 A

게이트-이미터 누설 전류:

+/- 250 nA

상품 유형:

IGBT 트랜지스터

공장 팩 수량:

50

하위 카테고리:

IGBT

단위 무게:

0.056438 oz

Tags

HGT1S7N60C, HGT1S7, HGT1S, HGT1, HGT