NP100P04PDG-E1-AY

제품 속성

속성 값

제조사:

르네사스 전자

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-263-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

40 V

Id - 연속 드레인 전류:

100 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

3.5 mOhms

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

1800 mW

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

키:

4.45 mm

길이:

10 mm

트랜지스터 유형:

1 P-Channel

너비:

9.15 mm

상표:

르네사스 전자

가을 시간:

100 ns

습기에 민감한:

네

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

30 ns

공장 팩 수량:

800

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

300 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

38 ns

단위 무게:

0.077603 oz

Tags

NP100P04P, NP100P04, NP100P, NP100, NP10, NP1